[发明专利]包括存储器件的半导体集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体存储器件，它包含一个半导体衬底、形成上述衬底上的多个字线导体和多个位线导体，以及各自设置在一个上述字线导体和一个上述位线导体交叉处的多个存储单元，其特征在于：

各位线导体的相邻二个存储单元组成一个存储单元对单位结构，其中每个存储单元对单位结构包括一个第一信息储存电容器、一个第一开关晶体管、一个第二开关晶体管和一个第二信息储存电容器，它们按上述顺序沿所述位线导体的长度方向排列在一个上述位线导体之下，每个上述晶体管具有一对形成在上述衬底内的半导体区和一个在上述衬底之上形成于上述一对半导体区域之间的控制电极，当晶体管响应加于上述控制电极上的控制信号而导通时引起一个电流在上述半导体区域对之间流过，上述第一晶体管的一对半导体区之一和上述第二晶体管的一对半导体区之一在其交界处结合成一个单一区且包括一经由一位线连接导体连接于上述位线导体之一的扩散层，其中的位线连接导体由掺杂的多晶硅构成，上述第一和第二晶体管的栅电极分别连接于彼此相邻的字线导体，上述第一和第二晶体管的一对半导体区中的另一个区分别连接到上述第一和第二信息储存电容器，上述第一信息储存电容器和上述第一开关晶体管组成上述相邻的两个存储单元之一，上述第二信息储存电容器和上述第二开关晶体管组成上述相邻的两个存储单元中的另一个；以及

一串形成在一个位线导体下面的存储单元对单位结构，分别相对于形成在上述位线导体两侧的相邻的第一和第二位线导体下面的一串存储单元对单位结构沿与上述位线平行的方向作了位移，以便在垂直于衬底的方向上使形成在上述相邻的第一位线导体下面的存储单元对单位结构的一个第二信息储存电容器和形成在上述相邻的第二位线导体下面的存储单元对单位结构的一个第一信息储存电容器位于形成在上述一个位线导体下面的存储单元对单位结构的位线连接导体的近傍，其中

上述第一和第二晶体管的各对半导体区域形成在所述衬底的一个元件形成区内；

在每个上述存储单元对单位结构中，上述第一和第二信息储存电容器分别形成在所述第一和第二开关晶体管之上；以及

在所述衬底上各个用于形成存储单元对单位结构的第一和第二开关晶体管的第一和第二半导体区的元件形成区的长度方向与其相关位线导体的长度方向不相平行，具有预定的倾斜方向。

2．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，各开关晶体管设置在上述位线连接导体和一个电容器连接部分之间。

3．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，一个位线导体的位线连接部件和一相邻位线导体的位线连接部件位于一个字线导体的两侧。

4．根据权利要求1所求的半导体存储器件，其特征在于，上述半导体存储器件的一个外围电路区的第一层布线导体是由和位线导体的同一层布线形成的。

5．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于还包括：衬底的阱区中的沟道阻止层，该沟道阻止层与隔离其中形成有开关晶体管的有源区的场氧化层相接触并位于有源层的表面之下。

6．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，上述第一和第二晶体管的其它各对半导体区连接到上述第一和第二信息储存电容器，该第一和第二信息储存电容器中的杂质扩散进入其它的各对半导体区。

7．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特片在于，位线连接导体在将上述第一和第二晶体管的该对半导体区之一露出的接触孔中延伸，而不超出上述接触孔。

8．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，该存储器的外围电路区的第一层布线导体与位线导体同时形成。

9．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于还包括：通过掺杂多晶硅的杂质扩散在上述半导体衬底的一个表面上形成的一个半导体区。

10．根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，各个上述第一和第二信息储存电容器具有一个用于与其关联的晶体管的上述其它的半导体区对连接的第一电容器电极、一个形成在第一电容器电极上的电容器绝缘膜和一个形成在该绝缘膜之上的第二电容器电极，所述第一和第二电容器电极及上述绝缘膜位于上述位线导体和上述字线导体之间。