[发明专利]半导体存储器装置及其驱动装置无效

专利信息
申请号: 94119246.6 申请日: 1994-12-23
公开(公告)号: CN1114456A 公开(公告)日: 1996-01-03
发明(设计)人: 平野博茂;中根譲治;中熊哲治;森脇信行;椋木敏夫;角辰己 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 及其 驱动
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器装置包括:

主体存储单元部;

冗余存储单元部;

电气储存把所述主体存储单元部的一部分置换成所述冗余存储单元部的置换地址的、由半导体存储器组成的冗余地址数据单元部;

控制电路部;

冗余存储单元选择电路部;

其特征在于,所述冗余存储单元选择电路部保持自所述冗余地址数据单元部读出的第1地址数据;比较所述第1地址数据和通过所述控制电路部输入的、读出用或写入用的第2地址数据,从而选择所述主体存储单元部或所述冗余存储单元部。

2.如权利要求1所述的半导体存储器装置,其特征在于,所述冗余存储单元选择电路部包括锁存自所述冗余地址数据单元部读出的第1地址数据的第1锁存器电路。

3.如权利要求1所述的半导体存储器装置,其特征在于,进一步包括产生使所述冗余地址数据单元部动作的控制信号的动作信号产生电路。

4.如权利要求3所述的半导体存储器装置,其特征在于,所述动作信号产生电路由检测电源接入并产生动作信号的电源接入检测电路组成。

5.如权利要求1所述的半导体存储器装置,其特征在于,进一步包括存储标志数据的标志数据存储部,该标志数据表示已自所述冗余地址数据单元部读出第1地址数据。

6.如权利要求5所述的半导体存储器装置,其特征在于,进一步包括电源切断时检测电压降低的电压检测电路;所述标志数据存储部由第2锁存器构成且所述第2锁存器由来自所述电压检测电路的信号复位。

7.如权利要求5所述的半导体存储器装置,其特征在于,进一步包括复位信号产生电路;所述标志数据存储部由第2锁存器电路构成且所述第2锁存器电路由来自所述复位信号产生电路的信号复位。

8.如权利要求1所述的半导体存储器装置,其特征在于,所述主体存储单元部、所述冗余存储单元部及所述冗余地址数据单元部中,任二个以上的单元部设置在同一存储区域中且所述单元部的占有区域是可变的。

9.如权利要求8所述的半导体存储器装置,其特征在于所述同一存储区域具有存储标志数据的标志数据存储区域;该标志数据表示设置在所述同一存储区域内的单元部是主体存储单元部、冗余存储单元部及冗余地址数据单元部中的哪一个。

10.一种进行如权利要求2所述的半导体存储器装置中的所述冗余存储单元部的选择及非选择的方法,其特征在于,

读出电源接入后的最初数据时进行的步骤包括:

通过由所述控制电路输出的信号,读出存储在所述冗余存储单元部中第1地址数据的步骤;

把所述第1地址数据保持在所述冗余存储单元选择电路部的第1锁存器电路中的步骤;

把通过所述控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据与所述第1地址数据,在所述冗余存储单元选择电路部比较,从而判定选择或不选择所述冗余存储单元部的步骤。

11.一种进行如权利要求2所述的半导体存储器装置中的所述冗余存储单元部的选择或非选择的方法,其特征在于,电源接入后的哑循环进行时的步骤包括下述步骤:

通过由所述控制电路输出的信号,读出存储在所述冗余存储单元部中的第1地址数据;

把所述第1地址数据保持在所述冗余存储单元选择电路部的第1锁存器电路中;

在所述冗余存储单元选择电路中,比较通过所述控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据和所述第1地址数据,判定选择或不选择所述冗余存储单元部。

12.一种在如权利要求5所述的半导体存储器装置中读出和写入时,判定信息数据有效性的方法,其特征在于包括下述步骤:

分别自所述标志数据存储部、冗余地址数据单元部、主体存储单元部读出标志数据、第1地址数据、信息数据至所述控制电路部;

判定所述标志数据是置位状态还是非置位状态;

如果所述标志数据是置位状态,则判定由所述主体存储单元部读出的所述信息数据为有效;

如果所述标志数据不是置位状态,则判定所述信息数据无效,使所述标志数据为置位状态。

13.一种在如权利要求5所述的半导体存储器装置中读出及写入时,判定信息数据有效性的方法,其特征在于,包括下述步骤:

由所述标志数据存储部读出标志数据;

判定所述标志数据处于置位状态还是非置位状态;

如果所述标志数据不是置位状态,则自所述冗余地址数据单元部读出第1地址数据,读出所述标志数据置位后的信息数据;

如果所述标志数据是置位状态,则读出所述信息数据。

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