[发明专利]设有显影速度测量图的光掩模及测量显影速度匀度的方法

权利要求书

1、一种用于形成光刻胶图形的光掩模，包括：

一种显影速度测量图形，包括多个位于限定在光掩模中部区域的两个相同部分之一上的、配置成阵列的突起形图形元件，以及多个位于所述区域另一部分上的、配置成阵列的凹坑形图形元件，两个区上的图形元件都用与光掩模材料相同的材料制成并且具有相同的形状，且其尺寸沿阵列垂直方向和阵列水平方向逐渐增大或减小。

2、根据权利要求1的光掩模，其特征在于，显影速度测量图形具有预定尺寸，其纵向尺寸和横向尺寸都是200μm。

3、根据权利要求2的光掩模，其特征在于，任何一个图形区部分上的图形元件在其相应侧具有以0.05μm为公差，从最小为0.1μm逐步增大到最大为0.95μm的尺寸。

4、一种使用设有显影速度测量图形的光掩模来测量显影速度匀度的方法，每个所述图形都包括多个配置成第一阵列的突起形状的点和多个配置成第二阵列的凹坑形状的点，该方法包括下述步骤：

在光刻工艺中，使用设有显影速度测量图形的光掩模，相对于晶片中心位置，对所述晶片的中心、上、下、左、右的位置进行曝光，在该光刻工艺中，对晶片进行显影；

从所述中心、上、下、左、右位置的显影速度测量图形中多个突起形状的点和多个凹坑形状的点中选择一个参考点，该参考点具有最小的尺寸，并能够被区分出来；

将从所述中心、上、下、左、右位置的显影速度测量图形中得到的参考点组合成一个组；

通过从该组参考点的最大尺寸中减去该组参考点的最小尺寸，来计算显影速度匀度。