[发明专利]设有显影速度测量图的光掩模及测量显影速度匀度的方法

说明书

本发明涉及设有显影速度测量图形的、用以在半导体器件制造中用光刻法形成光掩模图形时测量晶片各个区域显影速度的光掩模以及利用该光掩模来测量显影速度匀度的方法。

由于制造半导体器件所用的晶片往往具有比常规的4英寸更大的尺寸，例如，5英寸、6英寸或8英寸，而这在采用包括光刻胶模的涂敷与校整、曝光和显影三步的光刻工艺形成光掩模图形的情况下，会对晶片各区域的光掩模图形显影速度的匀度造成很大影响。特别是在使用8英寸晶片的情况下，均匀的显影速度乃是实现半导体器件高集成度的重要因素。

因此，通常要对晶片的各个区域进行显影速度测量。

例如，在执行完包括光刻胶模的涂敷与校整、曝光和显影等步骤的常用光刻工艺之后，通过利用临界尺寸测量仪器测量形成在晶片相应各区域上的预定图形的显影速度，可以检测出显影速度的匀度。

然而，这样的常规方法需要很长时间，要用昂贵的扫描电子显微镜(SEM)作为临界尺寸测量仪器。

因此，本发明的目的在于提供一种设有显影速度测量图形的、便于进行晶片各区域显影速度测量的光掩模，并且提供一种使用该光掩模来测量显影匀度的方法。

根据一方面，本发明提供了一种光掩模，包括：一种显影速度测量图形，它包括多个位于限定在光掩模中部区域的两个相同部分之一上的、配置成阵列的突起形图形元件，以及多个位于所述区域另一部分上的、配置成阵列的凹坑形图形元件，两个区上的图形元件都用与光掩模材料相同的材料制成并且具有相同的形状，且其尺寸沿阵列垂直方向和阵列水平方向逐渐增大或减小。

根据另一方面，本发明提供了一种使用设有显影速度测量图形的光掩模来测量显影速度匀度的方法，每个所述图形都包括多个配置成第一阵列的突起形状的点和多个配置成第二阵列的凹坑形状的点，该方法包括下述步骤：在光刻工艺中，使用设有显影速度测量图形的光掩模，相对于晶片中心位置，对所述晶片的中心、上、下、左、右的位置进行曝光，在该光刻工艺中，对晶片进行显影；从多个突起形状的点和多个凹坑形状的点中选择一个参考点，该参考点具有最小的尺寸，并能够区别于所述中心、上、下、左、右位置的显影速度测量图形；将从所述中心、上、下、左、右位置的显影速度测量图形中得到的参考点组合成一个组；通过从该组参考点的最大尺寸中减去该组参考点的最小尺寸，来计算显影速度匀度。

本发明的其它目的和特点通过参照附图对实施例进行说明将变得更清楚。其中：

图1是说明按照本发明制造的光掩模叠放在曝光机上的情况下，曝光机最大曝光区的示意图；

图2是本发明的设有显影速度测量图形的光掩模的示意图；

图3是图2所示的显影速度测量图形的放大视图；以及

图4是说明利用本发明的设有显影速度测量图形的光掩模形成了光刻胶图形的晶片的平面图。

下面将详细说明最佳实施例。

图1是说明按照本发明制造的光掩模叠放在曝光机上的情况下，曝光机的最大曝光区的示意图。如图1所示，该最大曝光区为圆形，从而与曝光中心成等距离配置，由于最大曝光区的这种等距离配置，曝光区内相距曝光中心不同距离处的各不同区域就具有不同的曝光能量。

所以，需要在光掩模的预定位置，即，对应于曝光区中心的光掩模中心处，形成用于显影速度测量的图形。

图2是本发明的光掩模的示意图。图2中，标号1表示光掩模，而标号10则表示按照本发明形成于光掩模上的显影速度测量图形。

如图2所示，该显影速度测量图形10位于光掩模1的中部。显影速度测量图形10具有预定的尺寸，纵向尺寸和横向尺寸大约为200μm。

图3是图2所示显影速度测量图形10的放大视图。现在将结合图3陈述形成显影速度测量图形的方法。

根据本方法，首先，确定要形成显影速度测量图形的图形区。然后，将该图形区分成两个相等部分，在两个图形区部分的一个上，按阵列方式配置多个突起形点。在图形区另一部分上，则按阵列方式配置多个具有凹坑形的点。任何一个图形区部分上的点都是用与光掩模同样的材料制成，而尺寸则沿阵列的向右方向与沿阵列的向下方向逐渐增大，如下表所示。该表里，所表示的各尺寸都以微米为单位。

                            表

0.1         0.15         0.2     0.25     0.3     0.35

0.4         0.45         0.5     0.55     0.6     0.65