[发明专利]评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备方法、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法

权利要求书

1.评价形成绝缘膜的硅氧烷的方法，该方法包括对形成绝缘膜的涂布液中所含的每个硅原子至少键合一个有机取代基的硅氧烷的评价方法，该法的特征是测定每种硅原子分别具有1—3个键合的有机取代基的三种硅原子的比率，以及至少一种不带上述有机取代基的硅原子的比率，然后依据所测定比率来评价供形成绝缘膜的硅氧烷。

2.按照权利要求1所述的评价形成绝缘膜的硅氧烷的方法，其中硅氧烷中每种键合有不同个数有机取代基的硅原子比率是采用²⁹Si—NMR波谱信号的积分值测定的。

3.按照权利要求1或2所述的评价形成绝缘膜的硅氧烷的方法，其中硅氧烷中每种硅原子至少键合一种有机取代基，并由下列式〔1〕表示，用于形成LSI多层互连的层间绝缘膜，以及其中硅氧烷的下列(a)，(b)，(c)及(d)结构单元中至少有一个结构单元的比率是由²⁹Si—NMR波谱信号积分值测定的：上式〔1〕中，k，l，m和n每个都代表0—1000范围内的整数，R可以相同或不相同，并代表至少一种选自饱和烃基、不饱和烃基及苯基，但苯基可以是取代苯基的有机基团；以及每个氧原子与Si，R相连或与H相连，上述结构单元(a)，(b)，(c)和(d)中，R可以相同或不相同，并代表至少一种选自饱和烃基、不饱和烃基及苯基，但苯基可以是取代苯基的有机基团。

4.按照权利要求1—3任何一项所述的评价形成绝缘膜的硅氧烷的方法，其中每个硅原子键合有不同个数有机取代基的硅氧烷是硅氧烷低聚体。

5.按照权利要求4的评价形成绝缘膜的硅氧烷的方法，其中，以重复结构单元数：[k＋l＋m＋n〕表示的硅氧烷低聚物的聚合度的范围为2—500。

6.用于半导体器件生产中形成绝缘膜的涂布液，包括每个硅原子至少键合有一种有机取代基的并由下述通式〔1〕表示的硅氧烷，硅氧烷中各种硅原子的比率x由〔2〕式表示，其值通过²⁹Si—NMR波谱信号的积分值确定并满足式〔2〕规定的关系。上式〔1〕中，k，l，m和n每个都代表0—1000范围内的整数，R可以相同或不同，并代表至少一种选自饱和烃基、不饱和烃基及苯基，但苯基可以是取代苯基的有机基团；及每个氧原子与Si、R相连或与H相连。 X = A 1 A 0 + A 1 + A 2 + A 3 × 100 ≥ 80 % - - - - [ 2 ] ]]>上式〔2〕中，A₀是用²⁹Si—NMR波谱分析测定的归属于无Si—C键的硅原子的硅信号面积；A₁是用²⁹Si—NMR波谱分析测定的归属于有一个Si—C键的硅原子的硅信号面积；A₂是用²⁹Si—NMR波谱分析测定的归属于有2个^Si—C键的硅原子的硅信号面积；A₃是用²⁹Si—NMR波谱分析测定的归属于有3个Si—C键的硅原子的硅信号面积。