[发明专利]直接机加工凸出结构后向反射立方隅角制品及其制造方法无效

专利信息
申请号: 94193640.6 申请日: 1994-10-20
公开(公告)号: CN1040691C 公开(公告)日: 1998-11-11
发明(设计)人: 杰拉尔德M·本森;肯尼斯L·史密斯;约翰C·凯林赫;马克E·加德纳 申请(专利权)人: 美国3M公司
主分类号: G02B5/124 分类号: G02B5/124
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张恒康
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 接机 加工 凸出 结构 反射 立方 制品 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造至少具有两凸出结构的立方隅角制品的方法,其特征在于所述方法的工序包括:

提供一单元可机加工基底;

在所述单元基底上机加工一结构表面,该结构表面至少包含一由至少两组交叉槽所形成的立方隅角单元阵列;

在可机加工基底(70)中产生一所述结构表面的负拷贝或负复制件;

从所述负复制件中切除所述基底(70)的一第一部分以在所述结构表面中形成一第一腔(77),所述第一腔(77)平行于所述结构表面的两平行槽延伸并位于它们之间;

至少切除所述基底(70)的第二部分以在所述结构表面至少形成一第二腔,所述第二腔具有近似地等于第一腔的深度;

从所述负复制件中产生一正复制件,借此,所述制品包括至少两凸出结构(123,125),这些凸出结构是所述腔(77)的倒置复制件。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于切除所述基底(70)的第一部分和第二部分的工序包括在所述结构表面中直接机加工至少两个腔(77)的工序。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于在产生所述正复制件的工序中在负复制件和正复件之间使用一分隔层,以防止它们之间产生粘结。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于还包括在至少一凸出结构的表面上机加工一立方隅角单元阵列的工序。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述腔(77)由所述两侧壁(79)加以界定,所述侧壁具有高度′,此高度′至少等于所述立方隅角单元(75)的高度″。

6.一种根据权利要求1所述的方法制造的制品。

7.一后向反射薄板,包括一基本光学透明基底(135),该基底具有一处于底面(128)的基准面和一与所述基准面相对的结构表面,所述结构表面包括

一由所述基底中的至少两组交叉槽所形成的第一的立方隅角单元阵列(116);

一由所述基底中的至少两组交叉槽所形成的第二立方隅角单元阵列(116);

一在所述第一阵列(116)和所述第二阵列(116)之间延伸的第一凸出结构(123);

一与所述第一凸出结构(123)交叉的第二凸出结构(125),其特征在于:

所述第一凸出结构(123)与在所述两组交叉槽之一组上的两槽平行,并在它们之间延伸;所述第二凸出结构(125)与在所述两组交叉槽之另一组上的两槽平行,并在它们之间延伸。

8.一种根据权利要求7的后向反射薄板,其特征在于还包括布置在邻近第一凸出结构(123)的应力消除机构(131)。

9.根据权利要求7所述的后向反射薄板,其特征在于在所述结构表面上的最高立方隅角单元延伸到基准平面以上的高度D″;所述第一凸出结构(123)一直延伸到参考平面以上的高度D′;D′与D″之比计测在1.1∶1和2∶1之间。

10.根据权利要求7所述的后向反射薄板,其特征在于所述第一凸出结构(123)包括若干在其表面上的立方隅角单元。

11.根据权利要求7所述的后向反射薄板,其特征在于进一步包括一放置在邻近所述结构表面上的密封介质(477)。

12.根据权利要求7所述的后向反射薄板,其特征在于所述第一凸出结构(123)包括:

一相对于所述底面(128)从所述基底(135)的槽中按在60°和90°之间的测量角度延伸的第一侧壁(104);

一从所述第一侧壁延伸的且近似地平行于所述底面(128)的上表面(126);

一相对于所述底面(128)从所述上表面(126)按在60度和90度之间的测量角度延伸到一所述基底(135)的槽的第二侧壁。

13.根据权利要求12所述的后向反射薄板,其特征在于所述上表面(126)包括一超声波聚能器(127)。

14.一种后向反射薄板,包括:

一具有一基准面和一相对所述基准面的结构面的基底,这种结构面包括:

一具有多个立方隅角单元的第一带(140),这些立方隅角单元是由至少两个交叉槽组所形成的并安置在基准平面(151)以上的第一高度上的;

一具有多个立方隅角单元的第二带(146),这些立方隅角单元是由至少两个交叉槽组所形成并被安置在基准平面(151)以上、与所述第一高度不同的第二高度上的;

其特征在于在所述第二带(146)中的最深槽的底相对于公共基准平面高于所述第一带(142)的最高表面。

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