[发明专利]ROM-RAM盘无效
| 申请号： | 94194366.6 | 申请日： | 1994-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1136851A | 公开（公告）日： | 1996-11-27 |
| 发明（设计）人： | 川村晃;森本宁章;弗里德海姆·朱克 | 申请（专利权）人： | 德国汤姆逊-布朗特公司 |
| 主分类号： | G11B13/04 | 分类号： | G11B13/04 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 联邦德国菲林*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rom ram | ||
1、一种ROM-RAM盘，它在螺旋轨道上具有相互重叠的ROM和RAM存储区域，其特征在于：
对应于一第一设计方案，只在超过一定半径(R)或直径处才提供一具有ROM和RAM两种存储结构的ROM-RAM盘的区域，在超过该半径(R)或直径时，在恒定转速下，达到了一个扫描或写速度(V)，该速度保证了对存储在ROM-RAM结构中的信息的读取和分离；或者是
对应于第二设计方案，可用的存储区域全部由ROM-RAM存储区域构成，并提供具有减小了的数据速率的RAM存储结构以形成分离出存储在ROM-RAM结构中的信息所需的存储结构的长度。
2、如权利要求1所述的ROM-RAM盘，其特征在于：
可以用恒定转速来写和读的ROM-RAM盘的直到一定直径的内侧区域为ROM存储区或RAM存储区，该内侧区域可作用信息存储，在该直径处达到了读取和分离存储在ROM-RAM结构中的信息所需的采样速率。
3、如权利要求1或2所述的ROM-RAM盘，其特征在于：
在超过该盘上的一定直径处提供一具有RAM和ROM两种存储结构的区域，在盘的转速一定时在该直径处的扫描速率为至少1.8m/s。
4、如权利要求1所述的ROM-RAM盘，其特征在于：
所述RAM存储结构被用来在减小了的数据速率下以1.2m/s的线速度来进行写和读，以形成分离存储在ROM-RAM结构中的信息所必需的存储结构的长度。
5、用于ROM-RAM盘的同时读取和用于同时读ROM和写RAM的方法，该ROM-RAM盘具有一ROM与RAM存储结构，并在螺旋磁道上具有相互重叠的ROM和RAM存储区域，其特征在于：
对应于一第一设计方案，ROM-RAM盘在超过一半径(R)或直径处具有一带ROM和RAM两种结构的存储区域，在该半径(R)或直径处保证了对存储在ROM-RAM结构中的信息的读取或分离，并且该盘以一恒定转速来驱动，以读或写该信息；或者是
对应于一第二设计方案，可用的存储区域由ROM-RAM存储区域来构成，提供具有减小了的数据速率的RAM存储结构，以形成分离存储在ROM-RAM结构中的信息所需的存储结构的长度，并且该ROM-RAM盘以一恒定线速度来驱动。
6、如权利要求5所述的方法，其特征在于：使用500rpm左右的转速来作为恒定转速。
7、如权利要求5所述的方法，其特征在于：使用1.2m/s左右的线速度来作为恒定线速度。
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