[发明专利]ROM-RAM盘

说明书

本发明涉及一种只读-随机存取(ROM-RAM)盘和一种用一个扫描单元能够在同一时间读ROM区和写RAM和同时读ROM和RAM区的方法。

ROM-RAM盘是一种光记录介质，它既有只能读的存储区也有读、写均可的存储区。只能读的存储区称为只读存储区或ROM，读写均可的存储区称为随机存取存储区或RAM。在光信息介质上的ROM是通过所谓凹坑(pit)来实现的，这些凹坑在光盘(CD)上形成螺旋数据轨道。而在CD的情况下，反光铝层上有凹陷区即凹坑，它表示该盘上存储的数据。而在磁光盘(MOD)上，则有可通过不同磁化作用在其上记录数据和从其上读取数据的磁性层。信息和数据位也同样以具有不同磁化方向的磁畴的形式存储到螺旋数据轨道上。这种情况不同于模拟记录盘，数据轨道是以恒定线速度，所谓CLV来由内向外读取的。

德国专利DE-OS 3732875公开了一种以盘形式的记录介质，它是光盘和磁光盘的结合，称作ROM-RAM盘。在这种记录介质上，数据在螺旋轨道上以凹坑和磁畴两种方式来存储。由于这些凹坑和磁畴是一上一下设置的，所以这种ROM-RAM盘的存储能力或存储容量理论上等于两种存储容量之和。

为了能存储和读取在光信息介质上的凹坑和磁畴或RAM区或ROM区中存储的信息，存储结构应有一最小长度，此长度依赖于扫描激光束的波长和采用的存储原理。若波长为780nm(纳米)，这是扫描光信息介质经常采用的波长，则为了得到最大存储容量，RAM区或ROM区中的存储结构的最小长度近似为0.8μm(微米)。为了再现存储在ROM-RAM盘上的RAM区中的信息，用于记录RAM上信息的存储结构的最小长度要求大于1.38μm，以能够从信号混合体上选择和读取RAM信息，这种信号混合体由ROM信息和RAM信息组成。这导致了必须以不同速度来读取ROM区或RAM区和ROM-RAM区，还导致不可能同时读ROM-RAM区和在同一时间读ROM区和写RAM区。通过提高线速度CLV，ROM-RAM盘的存储容量同理论上的双倍存储能力相比肯定会有所减小。

因此，本发明的目的就是提供这样一种ROM-RAM盘和一种使得能够同时读ROM和RAM并能在同一时间读ROM区和写RAM区的方法，并提供尽可能大的存储容量。

此目的通过由独立权利要求限定的本发明来实现。本发明的其他有益的改进由从属权利要求来限定。

ROM-RAM盘用作使RAM与ROM存储区在螺旋信息轨道上重叠的基础。为了在同等直径的信息介质的情况中确保尽可能大的存储容量，尽管在读取期间需要有更长的存储结构和增大的线速度来分离信息，仍然是要么只在超过一定直径时才提供包含ROM和RAM两种存储结构的ROM-RAM盘区域，超过该直径时，扫描或写速度达到一恒定的转速，该速度确保能读取和分离出存在ROM和RAM结构中的信息；要么以对于RAM减小了的数据时钟速率来将整个存储区域提供来作为ROM-RAM区域，该ROM-RAM区域以一恒定的线速度来存储和读取。

第一种设计方案是采用这样一种记录介质，在其内侧区域提供ROM区或RAM区并只有在超过一定直径时才提供一ROM-RAM区，在该直径处达到了以恒定转速来从ROM-RAM信号混合体中分离ROM信号或RAM信号所需的线速度；第二种设计方案则包括该信息介质上的全部可用存储表面，该信息介质全部可用表面整个被用作ROM-RAM，并从对于RAM减小了的数据时钟速率用恒定的线速度来读取和存储。ROM-RAM中的ROM没有变化。对于第一种设计方案，应注意在以正常方式来读取和存储数据时，磁光盘是以恒定角速度CAV或恒定转速来控制的，使得线速度随半径而增加。因此，ROM-RAM盘的RAM-ROM区的RAM存储能力与常规可擦除盘的存储能力相同，尽管这种RAM区在一较大的的直径处才开始有。这样，由ROM区增加了ROM-RAM盘的存储量，并且，RAM和ROM的同时读操作和ROM区的读操作与RAM区的写操作的同时进行也成为可能。在第一种方案中，同时包含RAM和ROM存储结构的区域在超出一定直径处提供，在此直径处，以恒定转速的线速度最好至少为1.8m/s。

与第一种设计有关的方法的特定特征，具体来讲是，与以恒定线速度来扫描的CD的ROM不同，ROM-RAM信息介质是以恒定转速或恒定角速度来扫描的，或者信息是以恒定角速度来记录的。在ROM-RAM盘上读/写信息采用的盘的恒定转速度为500rpm(转/分)左右。