[发明专利]II-VI族半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 95100650.9 | 申请日： | 1995-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1113355A | 公开（公告）日： | 1995-12-13 |
| 发明（设计）人： | N·山田 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18;H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,马铁良 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ii vi 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
1、一种Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器，包括：
一个n型基片；和
多个吸附层，含有晶体结构元素和掺杂杂质，各吸附层在所述基片上形成；
其特征在于，所有从第一吸附层至倒数第二的P型吸附层都用固态区分子束外延(MBE)法形成；而
最后一层的P型吸附层则是用气态区MBE法或金属有机汽相外延(MOVPE)法形成。
2、如权利要求1所述的Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器，其特征在于，所述最后一层的P型吸附层是在富有Ⅱ族元素的情况下形成的。
3、如权利要求2所述的Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器，其特征在于，在形成所述最后一层P型吸附层的过程中，保持Ⅱ-Ⅵ族元素射束的剂量比在大约2∶1至8;1的范围。
4、如权利要求1所述的Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器，其特征在于，所述最后一层P型吸附层是用含氢的气源形成的。
5、一种制造Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的方法，其特征在于，它包括下列步骤：
用固态区分子束外延（MBE）法在n型基片上形成从第一层吸附层至倒数第二层P型吸附层的多层含晶体结构元素和掺杂的吸附层;
用气态区MBE或金属有机汽相外延（MOVPE）法在基片上形成最后一层的P型吸附层。
6、如权利要求5所述的方法，其特征在于，它还包括在富有Ⅱ族元素的情况下形成所述最后一层P型吸附层的步骤。
7、如权利要求6所述的方法，其特征在于，它还包括在形成所述最后一层P型吸附层的过程中保持Ⅱ-Ⅵ元素剂量比在大约2∶1至大约8∶1的范围的步骤。
8、如权利要求5所述的方法，其特征在于，它还包括用含氢的气源形成所述最后一层P型吸附层的步骤。
9、一种按权利要求5的工艺制造的Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普公司，未经惠普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95100650.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：为管道内外之间提供信号传递的装置
- 下一篇：制备乙烯基乙酸酯催化剂的方法
