[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，具有：在第1电源端子与公共节点之间插入电流通路且至少2个相互并接的第1、第2绝缘栅型FET；其特征在于，该器件还包括，在第2电源端子与上述公共节点之间插入电流通路且对上述公共节点的电位预充电用的预充电装置；上述第1、第2绝缘栅型FET各自的控制极分别连接互不相同的第1、第2数据信号线，并利用上述第1、第2绝缘栅型FET的导通和非导通，将第1、第2数据信号线中所提供的第1、第2数据传送到上述公共节点。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于该器件还具有从上述第1、第2数据信号线选择应传送数据的信号线的选择装置。

3.如权利要求2所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述选择装置为分别在上述公共节点与上述第1绝缘栅型FET之间、上述公共节点与上述第2绝缘栅型FET之间插入电流通路的第3、第4绝缘栅型FET。

4.如权利要求2或3所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述选择装置具有：选择上述第1、第2数据信号线中的任一根，将上述第1数据和第2数据中的任一个传送到上述公共节点的复接功能；同时全部选择上述第1、第2数据信号线，并对上述第1数据和第2数据进行逻辑和运算的逻辑和运算功能。

5.如权利要求2或3所述的半导体集成电路器件，其特征在于该器件还具有连接上述公共节点且将上述公共节点的电位固定于规定电位的电位固定装置。

6.如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其特征在于该器件还具有连接上述公共节点且将上述公共节点的电位固定于规定电位的电位固定装置。

7.如权利要求5所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述电位固定装置为锁存电路。

8.如权利要求6所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述电位固定装置为锁存电路。

9.如权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述第1数据和上述第2数据分别具有预充电电位电平，该电平为二值逻辑电平之一。

10.如权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路器件，其特征在于上述第1、第2数据信号线的另一端分别电气连接动态型随机存取存储器的存储单元，上述第1、第2数据分别为从上述存储单元读出的数据。

11.如权利要求10所述的半导体集成电路器件，其特征在于：上述选择装置具有选择上述第1、第2数据信号线中的任一根，将上述第1数据和第2数据中的任一个传送到上述公共节点的复接功能；还具有同时全部选择上述第1、第2数据信号线，对上述第1数据和第2数据进行逻辑和运算的逻辑和运算功能；常规动作时，利用上述复接功能选择上述存储单元读出数据中的任一个；测试动作时，利用上述逻辑和运算功能并行读出上述存储单元的读出数据。