[发明专利]高密度只读存储器地址线解码装置

权利要求书

1、一种高密度只读存储器地址线解码装置，其特征在于包括：

两组位于存储区域两侧的解码区域，所述解码区域是以与横向隐埋式N+位线与纵向多晶硅字线构成的存储区域的阵列结构相同的阵列结构由数只晶体管形成，并以离子植入使特定位置的晶体管截止，以形成地址解码线路；

在所述各解码区域的电源供应端串接有一受预充电信号控制的充电电压限制电路，所述充电电压限制电路是由一临界值设定在击穿电压值以下的逻辑门推动一串接在电源上的晶体管构成，当所述预充电信号启动时，可利用所述逻辑门的临界电压值将所述各存储区域的各字线的充电电压设定为低于所述击穿电压，确实防止漏电。

2、根据权利要求1所述的高密度只读存储器地址线解码装置，其特征在于：在所述各解码区的所述各字线的末端，还分别串接有受所述预充电信号控制的晶体管。

3、根据权利要求1所述的高密度只读存储器地址线解码装置，其特征在于：所述各解码区域的所述各晶体管，位于所述存储区域两侧的各外伸的所述字线之间的间隙，以达到高密度。

4、根据权利要求1所述的高密度只读存储器地址线解码装置，其特征在于：所述各解码区域的外伸控制线与送入的各地址线之间分别串接有逻辑门，所述各逻辑门的一端并联连接所述预充电信号，可在进行预充电之际，由所述各逻辑门切断地址线的信号。

5、根据权利要求1所述的高密度只读存储器地址线解码装置，其特征在于：所述各解码区域分别对应于所述各字线以多数晶体管并联接地连接构成。

6、根据权利要求1所述的高密度只读存储器地址线解码装置，其特征在于：所述各组逻辑门可为或非门。