[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

一个第一存储器阵列，其中，1MOS动态存储器单元分别设置在多个第一数据线和多个第一字线的交点处；

一个第二存储器阵列，其中设置有动态存储器单元，它们各包括一个用来储存读至各第一数据线的数据的电容器、一个连接在该电容器和第一数据线之间的第一MOSFET(Q2)、一个带有接收该电容器所保持的电压的栅极的第二MOSFET(Q4)、一个串联连接到第二MOSFET的第三MOSFET(Q3)、一个连接于第一MOSFET栅极的第二字线(WW)以及一个连接于第三MOSFET栅极的第三字线(RW)。

2.根据权利要求1的半导体存储器，还包括：

一个用来储存与第三字线相应的地址的地址储存电路；

一个用来储存储存于该地址储存电路中的数据和输入地址的地址比较器；以及

一个用来在从该地址比较器接收到重合检测信号时选取与该输入地址相应的第三字线的字线选择电路。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中，

所述字线选择电路在从地址比较器接收到一个非重合检测信号时，使与该输入地址相应的第一字线被选取。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其中，所述字线选择电路在从地址比较器接收到该非重合检测信号时，使预定的第二字线被选取。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器，其中，字线选择电路在从地址比较器接收到非重合检测信号时，使相当于预定第二字线的第三字线被选取。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器，还包括：

一个对应于多个第一数据线而提供的公用数据线；

分别形成在多个第一数据线和公用数据线之间的多个行开关；

一个用来控制行开关的行开关选择电路；

其中的公用数据线设置为第一和第二存储器阵列所共用。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器，还包括：

一个经由第三MOSFET(Q3)的源和漏沟道与第二MOSFET(Q4)相连的第二数据线；以及

一个形成在第二数据线和公用数据线之间的第二行开关。