[发明专利]具有微调游标的光掩模

说明书

本发明涉及一种在半导体器件的生产中具有用于测量图形套准，分辨率和聚焦特性的微调游标的光掩模。

一般地，曝光时将光掩模与感光膜接触的接触式印刷方法存在缺陷，即使用数次后会损伤光掩模。为了解决这个问题，一般采用投影印制方法，由于该方法所使用的掩模(下文又称标度线或掩模母版，reticle)与样品不接触，所以可重复使用而不致于使掩模变质。

从这点上说，在上述投影系统中，掩模可包括单个电路的布图，或者掩模成为布图的一部分。在后一种情况下，掩模图形被缩小聚焦在晶片上，并采用精密分步重复照相工艺由在晶片上的布图构成。

这时晶片的位移量，感光膜分辨率和曝光机的聚焦对生产高密度集成器件都非常重要。

图1是具有常规微调游标的标度线平面图。标度线1包括元件区域3和绕元件区域3的划线2，在光掩模中划线2的预定部分形成用于测量分辨率和聚焦的图形4A，用于测量自动图形套准的第一微调游标4B，以及用于目测的第二微调游标4C。

也就是说，用于测量的微调游标和图形，特别是用于测量分辨率和聚焦特性的图形，用于测量自动图形套准的第一微调游标以及用于目测的第二微调游标均制作在各自占有的区域的划线内。所以产生一些问题，即在高集成度的器件中，很难确保各种图形和微调游标所需的足够位置。

本发明的一个目的是提供一种具有微调游标的光掩模，其保留已有技术具有微调游标的光掩模的优点，能够测量图形套准，分辨率和聚焦，并且通过缩小各种图形和微调游标所占区域的尺寸而确保更多图形和微调游标所需要的足够位置。

为实现上述目的，提供一种光掩模，其包括：一模区域和一限定模区域的划线区域；一用于测量自动图形套准的第一图形；一用于测量分步重复曝光系统的分辨率和聚焦的第二图形，其中第二图形包括由矩形方框构成的分辨率线条；一用于测量视觉图形套准的第三图形，其中，在划线之内限定一预定的区域，其中，第一，第二和第三图形形成在所述预定的区域内；第一图形为方框形图形，其投射在晶片的一位置，第二图形与第一图形相邻，第三图形包括多组，每组具有多个小方框图形；并且第一、第二和第三图形构成用于在半导体器件生产中测量各种特性的微调游标。

最好是，所述第一，第二和第三图形聚集在100μm的范围内。

最好是，所述第三图形为多个沿横纵坐标排列的小方框图形。

最好是，所述第三图形绕第一和第二图形排列。

最好是，所述第一图形的方框形图形在后续的曝光工艺中形成由矩形内方框和矩形外方框组成的两个方框，从而观察矩形内方框和矩形外方框的位置关系获得套准精度。

通过阅读下面的详细说明、权利要求及附图，本领域的普通技术人员会更加明了本发明的其它目的、特点和特征及各部分的作用。

附图说明如下：

图1是具有常规微调游标的标度线平面图。

图2是本发明优选实施例的微调游标平面图。

本发明的优选实施例将参照图2描述如下。

参照图2，微调游标的结构中包括用于利用双方框来测量自动图形套准的第一图形5，双方框包括矩形内方框(子图形)和矩形外方框(母图形)；用于测量聚焦和分辨率的第二图形6，比如由处于尽量邻近状态的矩形方框组成的分辨率条；用于测量视觉图形套准的第三图形7，包括多个沿横纵座标排列在图形5和6周围的小方框图形。这里，最好将图形5、6、7聚集在100μm的范围内。

现在描述本发明的微调游标的应用。

包括母图形的微调游标制作在预定的位置上，用于要求离子注入工艺的动态RAM的制造工艺，诸如用于制作N型和P型沟道场隔离的离子注入工艺，栅区制作工艺，用于制作轻掺杂漏极(LDD)的离子注入工艺，以及用于制作N⁺区和P⁺区的离子注入工艺。

另外，把包括子图形的微调游标制作在预定的位置上，并用于制作N和P沟道场隔离的离子注入工艺，制作轻掺杂漏极(LDD)的离子注入工艺和制作N⁺区和P⁺区的离子注入工艺。

根据本发明，容易确保各种图形和微调游标所需的足够位置，并容易有效地利用划线，从而提高器件的集成度。

本发明已就目前最实用和优选的实施例进行描述。然而本发明不局限于这些公开，相反，本公开覆盖了在权利要求书的精神和范围所做的各种改动或等效情况。