[发明专利]一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法

权利要求书

1、一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：在制作晶体管器件的源和漏合金电极时，在其上面重叠覆盖一层绝缘膜，并使二电极间距缩小成线宽与器件栅长尺寸相近的夹缝；在夹缝及其他图形侧壁上制作绝缘隔离侧墙，使夹缝内窗口与源、漏电极绝缘隔离；在夹缝内二绝缘侧墙之间的有效窗口上制作栅极肖特基结及其上面的栅电极，实现栅极与源、漏电极自对准；制作主要工艺步骤是：A，设计制作与本发明方法相适应的光刻掩模版；B，在选取合格基片上用光刻和腐蚀的方法制作菅芯台面；C，在菅芯台面上制作其上面重叠覆盖有一层绝缘膜，二者间距形成夹缝的线宽与器件栅长尺寸相近的源和漏合金电极；D，在源、漏电极及夹缝图形侧壁上制作绝缘隔离侧墙；E，在源、漏电极间夹缝内二绝缘侧墙间的有效窗口区内，制作栅极肖特基结及其上面的栅金属电极，从而实现器件栅极与源、漏电的自对准的制作方法。

2、根据权利要求1所述的一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：其中所述的二者间距夹缝线宽与器件栅长相近并重叠覆盖有绝缘层的源电极和漏电极的制作，是采用具有相应源、漏电极窗口，二窗口间距线宽与器件栅长相近的光刻掩模，在基片台面上套准光刻并形成适于图形剥离用的光刻胶窗口图形后，在其上先蒸发上一层2000_左右的金锗镍合金，再溅射或蒸发一层SiO₂，Si₃N₄  绝缘材料后，经剥离图形和合金退火得到  绝缘膜厚3000-5000_左右；源、漏电极间夹缝线宽等于设计器件栅长与夹缝内二倍绝缘侧墙厚度之和。

3、根据权利要求1中所述的一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：其中所述在源、漏电极间夹缝图形和其他图形侧壁上制作的绝缘隔离侧墙，是采用等离子体增强化学淀和或硅烷热分解  方法，各向同性淀积一层SiO₂，Si₃N₄膜材料，再用反应离子垂直定向刻蚀除去水平面上淀积膜而得到；绝缘隔离侧墙厚度等于夹缝宽度减去器件设计栅长    后数值的一半，一般1000-3000_。

4、根据权利要求1中所述的一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：其中所述的栅极肖特基结及栅电极制作，是用线宽大于夹缝线宽的栅电极掩模版，以夹缝为中心，套准光刻出栅电极窗口图形，在腐蚀出夹缝有效窗口下的肖特基结接触层后，在其上淀积栅电极材料，通过剥离得到栅极肖特基结及栅电极。

5、根据权利要求1中所述的一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：其中所述栅极肖特基结及栅电极的制作，是在夹缝内有效窗口下腐蚀出肖特基结接触层后，淀积上一层硅化钨栅电极材料，再用线宽大于夹缝的栅电极掩膜版，以夹缝为中心，套准光刻出凸起的栅极光刻胶图形，刻蚀去除图形外淀积膜后而制成。

6、根据权利要求1中所述的一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：所述的栅极有效栅长，等于源、漏电极间夹缝线宽，减去二倍绝缘隔离侧墙厚度；用常规光刻可制得最小栅长为0.2-0.3μm；用电子束光刻或X光光刻可制得栅长小于0.1μm器件，器件栅极与源、漏电极间距，等于绝缘隔离侧墙厚度，一般为0.1-0.3μm。

7、根据权利要求1中所述的一种高电子迁移率晶体菅器件的自对准制作的方法，其特征是：其中所用的光刻工艺，可以采用常规光刻，也可以采用电子束光刻或X光光刻；或在不同工序中混合使用上述不同方法；在电子束光刻中用数据代替掩模版。