[发明专利]形成半导体器件中的栅极电极的方法无效
| 申请号： | 95104684.5 | 申请日： | 1995-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1076865C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 金钟哲;禹相浩 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 中的 栅极 电极 方法 | ||
1.一种形成半导体器件中的栅极电极的方法，包括以下步骤：
在硅衬底上形成栅极氧化物膜；
用SiH4气体和PH3气体在所述栅极氧化物膜上淀积第一多晶硅层；
对所述第一多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；
用Si2H6气体和PH3气体在所述经热处理的第一多晶硅层上淀积第二多晶硅层；
对所述第二多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；
在所述经热处理的第二多晶硅层上形成钨硅化物层；以及
通过掩模工艺和蚀刻工艺对所述钨硅化物层、所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行蚀刻，由此形成栅极电极。
2.根据权利要求1的方法，其中使所述第一多晶硅层的晶粒的尺寸与所述第二多晶硅层的晶粒的尺寸不同。
3.根据权利要求2的方法，其中使所述第一多晶硅层的晶粒的尺寸小于所述第二多晶硅层的晶粒的尺寸。
4.根据权利要求1的方法，其中所述第一和第二多晶硅层是通过以下过程形成的：在500至530℃温度范围内进行淀积并以氩(Ar)气和氮(N2)气之一作为惰性气体在600至650℃温度范围内热处理4至10小时。
5.根据权利要求1的方法，其中在所述第一和第二多晶硅层之间的界面，所述第一多晶硅层中没有晶界垂直对准所述第二多晶硅层中的任何晶界。
6.一种形成半导体器件中的栅极电极的方法，包括以下步骤：
在硅衬底上形成栅极氧化物膜；
用Si2H6气体和PH3气体在所述栅极氧化物膜上淀积第一多晶硅层；
对所述第一多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；
用SiH4气体和PH3气体在所述经热处理的第一多晶硅层上淀积第二多晶硅层；
对所述第二多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；
在所述经热处理的第二多晶硅层上形成钨硅化物层；以及
通过掩模工艺和蚀刻工艺对所述钨硅化物层、所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行蚀刻，由此形成栅极电极。
7.根据权利要求6的方法，其中使所述第一多晶硅层的晶粒的尺寸与所述第二多晶硅层的晶粒的尺寸不同。
8.根据权利要求7的方法，其中使所述第一多晶硅层的晶粒的尺寸大于所述第二多晶硅层的晶粒的尺寸。
9.根据权利要求6的方法，其中所述第一和第二多晶硅层是通过以下过程形成的：在500至530℃温度范围内进行淀积并以氩(Ar)气和氮(N2)气之一作为惰性气体在600至650℃温度范围内热处理4至10小时。
10.根据权利要求6的方法，其中在所述第一和第二多晶硅层之间的界面，所述第一多晶硅层中没有晶界垂直对准所述第二多晶硅层中的任何晶界。
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