[发明专利]半导体器件的器件隔离方法无效
| 申请号： | 95107354.0 | 申请日： | 1995-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1059517C | 公开（公告）日： | 2000-12-13 |
| 发明（设计）人： | 安东浩;安性俊;申裕均;金允基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 器件 隔离 方法 | ||
1.一种半导体器件的器件隔离方法，它包含下列步骤：
在半导体衬底上形成一个衬垫氧化层和一个氮化物层；
清除位于器件隔离区上方的上述氮化物层；
通过局部腐蚀上述衬垫氧化层而在上述氮化物层下方形成一个切口区；
在暴露的衬底上形成一个第一氧化层；
在上述氮化物层的侧壁上形成一个多晶硅分隔层；以及
对其中形成了上述多晶硅分隔层的所得结构进行选择性氧化，并在位于上述形成在有源区上的氮化物层下方的上述氧化层中形成一个空洞。
2.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中所述的选择性氧化工序在950℃～1150℃的温度下执行。
3.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中形成所述多晶硅分隔层，使其填充在上述切口区中。
4.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中所述的第一氧化层的厚度为30-160。
5.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中，借助于在形成上述多晶硅分隔层时对多晶硅层进行过腐蚀而形成比上述氮化物层低的所述多晶硅分隔层。
6.一种半导体器件的器件隔离方法，它包含下列步骤：
在半导体衬底上形成一个衬垫氧化层和一个氮化物层；
清除位于器件隔离区上的上述氮化物层；
借助于对上述衬垫氧化层进行局部腐蚀，在上述氮化物层下方形成一个切口区；
用上述氮化物层作为掩膜，对上述衬底进行腐蚀；
在暴露的衬底上形成一个第一氧化层；
在上述氮化物层的侧壁和上述氮化物层下方衬底被腐蚀部分的侧壁上形成一个多晶硅分隔层；以及
对其中形成了上述多晶硅分隔层的所得结构进行选择性腐蚀，并在位于形成在有源区上的上述氮化物层下方的上述氧化层中形成一个空洞。
7.根据权利要求6的半导体器件的器件隔离方法，其中所述的衬底被腐蚀掉200-1000。
8.根据权利要求6的半导体器件的器件隔离方法，上述的选择性氧化工序在950℃～1150℃的温度下执行。
9.根据权利要求6的半导体器件的器件隔离方法，其中，形成所述的多晶硅分隔层，以使多晶硅填充在上述切口中。
10.根据权利要求6的半导体器件的器件隔离方法，其中所述的第一氧化层的厚度为30-160。
11.根据权利要求6的半导体器件的器件隔离方法，其中，借助于在形成上述多晶硅分隔层时对多晶硅层进行过腐蚀的方法而形成比上述氮化物层更低的多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
