[发明专利]半导体激光装置和使用它的光拾取装置

权利要求书

1．一种半导体激光装置，其特征在于，该装置具备半导体激光元件，受光元件，配设所述半导体激光元件及所述受光元件的配设构件，使从所述半导体激光元件射出的激光光束通过，同时使基于所述激光光束的回授光束衍射、引向所述受光元件的透过型全息元件，以及支承所述透过型全息元件、使其能相对于所述配设构件作三维移动的支承构件，

所述支承构件具备使所述透过型全息元件在第1方向上移动用的面、使所述全息元件在第2方向上移动用的面、以及使所述全息元件在第3方向上移动用的面，

在所述透过型全息元件位置相对于配设构件确定位置后的状态下，所述支承构件或/及所述全息元件由粘接材料固定。

2．根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件由所述支承构件支承于所述配设构件上方，还具备将所述半导体激光元件射出的激光光束向所述配设构件上方反射、将其引导到所述全息元件的反射手段。

3．根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述配设构件包含具有容纳半导体激光元件及所述受光元件的凹部的绝缘性模制体，以及保持于所述绝缘性模制体的多条引线，所述半导体元件及所述受光元件在所述凹部内与多条引线中的某引线电气连接。

4．根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件由所述支承构件配置于所述配设构件上方，还具备配置于所述凹部内、将所述半导体激光元件射出的激光光束向所述配设构件上方反射、引向所述全息元件的反射手段。

5．根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述配设手段还包含由所述绝缘性模制体保持的框架，所述半导体激光元件设置于所述凹部内，所述框架上。

6．根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件由所述支承构件配置于所述配设构件上方，还具备被配置于所述凹部内、将所述半导体激光元件射出的激光光束向所述配设构件上方反射、引向所述全息元件的反射手段。

7．根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于所述受光元件设置于所述凹部内、所述框架上。

8．根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于，所述绝缘性模制体具有倾斜支承所述反射手段的倾斜部。

9．根据权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于，所述绝缘性模制体具有形成于所述凹部内的底部的又一凹部，所述倾斜部形成于所述又一凹部内。

10．根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，所述反射手段包含反射所述半导体激光元件射出的激光光束、同时将该光束分为至少三束的反射型衍射光栅。

11．根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，还具备使所述半导体激光元件射出的激光光束透过、同时将该光束分为至少三束、将所述分开后的光束引向所述透过型全息元件的透过型衍射光栅。

12．根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，所述反射手段由反射镜构成，还具备使所述反射镜反射的激光光束透过、同时将其分为至少三束的透过型衍射光栅。

13．根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，所述透过型衍射光栅设于所述支承构件上。

14．根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，所述透过型衍射光栅与所述支承构件成一整体形成。

15．根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件与所述支承构件成一整体形成。

16．根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件及所述透过型衍射光栅由透明构件整体成形，所述透明构件具有相向的全息面和衍射光栅面，所述衍射光栅面配置于所述配设构件一端。

17．根据权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件使所述回授光束衍射、将其引向所述受光元件，不让该回授光束射入所述反射型衍射光栅。

18．根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，所述全息元件使所述回授光束衍射、将其引向所述受光元件，不让该回授光束射入所述透过型衍射光栅。