[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在硅衬底上形成栅氧化膜和T形栅极；

在包括所述的T形栅极在内的所述硅衬底的整体结构上依次形成薄的掺杂氧化膜和厚的多晶硅层，此后，通过按敷层蚀刻方法蚀刻所述多晶硅层和掺杂氧化膜，在所述T形栅极两侧下方的潜挖部位形成辅助栅极；

通过高浓度杂质注入方法，在所述硅衬底上所述T形栅极两侧形成重掺杂区；和

在包括所述T形栅极在内的所述硅衬底的整体结构上淀积中间绝缘膜之后，为表面平整化进行热处理，且在所述热处理过程中，通过含在所述掺杂氧化膜中的掺杂剂向所述硅衬底的扩散形成轻掺杂区。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述T形栅极是这样形成的：依次淀积掺杂硅和处于非晶态的非掺杂硅，进行栅极掩蔽操作和热处理，以及用聚湿性蚀刻溶液进行蚀刻。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于，所述热处理是在600-750℃温度范围内进行0.5-5小时。

4.根据权利要求2的方法，其特征在于，所述聚湿性蚀刻溶液是按下列组分比组成的：NHO₃∶CH₃COOH∶HF∶H₂O＝21∶3∶0.25-1.0∶15-16。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，在NMOS情况下所述掺杂氧化膜由PSG形成，在PMOS情况下所述掺杂氧化膜由BSG或BPSG形成。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述掺杂氧化膜形成至100-200A的厚度。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，在NMOS情况下用n⁺多晶硅形成所述辅助栅极的多晶硅层，PMOS情况下用P⁺多晶硅形成所述辅助栅极的多晶硅层。

8.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在硅衬底上形成栅氧化膜和T形栅极；

在包括所述T形栅极在内的所述硅衬底的整体结构的顶部淀积厚的掺杂氧化膜；

通过高温热处理过程中含于所述掺杂氧化膜中的杂质向所述硅衬底的扩散，形成轻掺杂区；

除去所述掺杂氧化膜，此后，在包括所述T形栅极在内的所述硅衬底的整体结构上依次形成薄的非掺杂氧化膜和厚的多晶硅层，并通过按敷层蚀刻方法蚀刻所述多晶硅层和非掺杂氧化膜，在所述T形栅极两侧下方的潜挖部位形成辅助栅极；和

通过高浓度杂质注入方法，在所述硅衬底中所述T形栅极的两侧形成重掺杂区。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于，在NMOS情况下所述掺杂氧化膜由PSG形成，在PMOS情况下所述掺杂氧化膜是由BSG或BPSG形成。

10.根据权利要求8的方法，其特征在于，所述非掺杂氧化膜由MTO或ONO形成。

11.根据权利要求8的方法，其特征在于，所述非掺杂氧化膜形成至100-200A的厚度。