[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种用于提升电压的半导体集成电路器件，包含多个形成在半导体衬底上的MOSFET，各个MOSFET具有源极、漏极、形成在源板和漏极间的沟道和通过栅极绝缘膜形成在沟道上面的栅极，所述多个MOSFET是以二极管连接的方式串联连接的，其特征在于：

各个MOSFET具有从电源端子侧的电压Vcc减小到输出端子侧的电压Vpp的不同的阈值电压。

2.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其特征在于，电源侧MOSFET的源极和漏极间的部分半导体衬底的第一杂质浓度高于输出侧MOSFET的源极和漏极间的部分半导体衬底的第二杂质浓度。

3.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其特征是，电源侧MOSFET的沟道长度大于输出侧MOSFET的沟道长度。

4.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其特征是，电源侧MOSFET的绝缘膜的厚度大于输出侧MOSFET的绝缘膜的厚度。

5.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其特征在于，电源侧和输出侧MOSFET的每一个的分别的栅极绝缘膜在沟道的长度方向上包含的第一栅极绝缘膜有小的厚度，而第二栅极绝缘膜有大的厚度，还有由电源侧MOSFET的第一栅极绝缘膜所规定的沟道的总长度短于由输出侧MOSFET的第一栅极绝缘膜所规定的沟道的总长度。

6.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其特征在于，电源侧和输出侧MOSFET的每一个的分别的绝缘膜在沟道的一个方向上包含的第一栅极绝缘膜有大的厚度，而第二栅极绝缘膜有小的厚度，而且电源侧MOSFET的第二栅极绝缘膜所规定的总沟道的第一沟道长度大于输出侧MOSFET的第二栅极绝缘膜所规定的总沟道的第二沟道长度。