[发明专利]光记录介质

说明书

本发明涉及光记录介质，更具体地，涉及在一种衬底的槽及槽间部分(脊部)两者上借助激光照射进行信息记录/读出及删除的一种光记录介质。

随着近年来信息量的增加，业已需要能以高密度及高速度记录及读出大量数据的记录介质，而光盘则被看作正好能合适此类应用的一种介质。

光盘包括仅能作一次性记录的一次性写类型的盘及能重复地记录及删除的可重写型盘。

作为可重写型光盘，它们称之为使用磁光效应的磁光记录介质，及利用随着非晶态及晶态之间可逆的变化而改变其反射率的相变介质。

相变介质具有仅利用调节激光束的功率无需外部磁场便能记录/删除，并能使记录/读出装置小型化的优点。

另外，它还具有对现有的目前占主要地位的在约800nm波长下可作记录/删除的介质不作专门的材料更改而仅用较短的波长便能获得高密度记录介质的优点。

作为这种相变介质的记录层材料，通常使用硫族元素合金的薄膜。例如可列举：GeTe基材料、GeTeSb基材料、InSb基材料及GeSnTe基材料。

通常，在可重写的相变记录介质中，是利用由未记录/已删除状态中的晶化状态形成非晶态二进制位进行记录的。该非晶态位是利用将记录层加热到高于熔点的温度随后骤冷而形成的。在此情况下，设置来与记录层相接触的介电层用作散热层，使其获得足够的过冷状态，并作为防烧蚀的防护层。

另一方面，利用将记录层加热到高于晶化温度但低于记录层熔点的温度来进行删除。

在此情况下，介电层用作使记录层温度保持在高温上直到完成晶化为止的蓄热层。

通常在可改写相变记录介质中，使用两种不同功率等级的激光束用于获得不同的晶体状态。

记录膜是从这样的观点来选择的，即膜能易于取得晶化状态或适度取得非晶状态，并在晶化状态及非晶状态之间具有大的反射效率差，以及固相态改变表现出小的容积变化，等。

用于保护层的材料是从这样的观点选择的，即例如对激光束具有透光性，具有合适的折射率、高熔点、软化点及分解点，易于制备及有合适的导热性。

在能以单元光束(1-beam)重写的相变型介质中，可以仅利用一个聚焦光束的强度调节来进行删除及改写步骤(日本＂应用物理学＂杂志26(1987)，增刊26-4，第61-66页)。

在单光束可重写相变记录介质中，用于写信息所需的时间可被缩短。它具有的另一优点是由于该介质不需用磁场驱动器可简单地构成且成本低。

此外，也可以利用基本上与可重写型介质相同的材料及层结构但相对于可逆相变型记录层改变其记录层的成分来获得一次性写类型的相变介质。

在此情况下，信息可被记录及存储较长的时间期限，因为该介质没有可逆性，且原则上信息可基本上永久的存储。

在使用相变介质作一次性写类型介质的情况下，它不同于热蚀型，因为不会在一个位的周围产生称为边圈的升高，它具有能提供极佳信号质量的优点，并且因为在记录层上无需气隙，因此不要求用空气夹层的结构。

需要在记录介质中高容量及高密度的记录是时代对记录介质及用于处理大量视频信息及音频信号的记录装置的必然要求，这些记录介质及记录装置一直在随着数字调制技术及数据压缩技术的进展并驾齐驱地发展。这种高容量及高密度也是在上述相变光记录介质中需要的。

作为在光盘中增加记录密度的一种具体手段，例如已开发及使用了：减小照射光的聚焦光束直径，及利用缩短光源波长或使透镜的NA(数字光圈)变大来缩短记录标记长度，在恒定转动频率下朝着外圈增加记录频率地修改恒定角速度(MCAV)，由此使记录密度从内圈到外圈保持恒定，使标记的前、后端携带信息的标记边缘记录，及在目前已考虑了进一步增加密度的措施。

此外，在相变介质中，因为很少会因光分辨率的下降引起降级，甚至在相同轨道间距(轨距密度)及最短的位长度(纵向记录密度)记录的情况下，信息幅值可被增加，故它具有与磁光介质相比可易于达到增加密度的优点。

在可作记录的光盘中，在盘上预先刻有导槽，以形成所谓的轨道。通常，利用将一束激光光聚照在一脊部或一导槽中来记录、读出或删除信息信号。