[发明专利]半导体器件中针形接点的形成方法

权利要求书

1、一种半导体器件中针形接点的形成方法，包括以下步骤：

(a)采用一光掩模提供穿过绝缘层而暴露出底层的第一开口；

(b)在第一开口中填入选择性金属层，以致这些选择性金属层之一在比其他开口具有较低布局的开口中生长过量，超过绝缘层表面；

(c)去除生长过量的选择性金属层的上面部分；

(d)形成连接到这些选择性金属层的金属布线；

其特征在于，所述步骤(c)还包括以下步骤：

(e)在所得结构上形成光致抗蚀剂层；

(f)采用与步骤(a)中相同的光掩模形成穿过所述光致抗蚀剂层的一个第二开口，以暴露所述生长过量的选择性金属层的上面部分；

(g)腐蚀生长过量的选择性金属层的上面部分，以致生长过量的选择性金属层的布局与非生长过量的选择性金属层的布局相同。

2、按照权利要求1的方法，其中，所述选择性金属层是用化学气相淀积技术形成的。

3、按照权利要求1的方法，其中，所述选择性金属层是钨、铝和铜中的一种。

4、按照权利要求1的方法，其中，去除生长过量的选择性金属层上面部分的步骤是用湿式刻蚀法进行的。

5、按照权利要求1的方法，其中，所形成的光致抗蚀剂层的厚度是0.5至1.5微米。

6、一种半导体器件中针形接点的形成方法，包括以下步骤：

(a)采用一光掩模在半导体器件的绝缘层中提供多个第一开口，所述开口之一具有一第一深度，所述开口之另一个具有一第二深度，从而暴露所述器件的下层，所述第一深度小于所述第二深度；

(b)在具有第一深度和第二深度的各个第一开口中分别填入第一和第二选择性金属层，以致第一选择性金属层在所述绝缘层的表面生长过量，第二选择性金属层在所述绝缘层的表面不生长过量；

(c)去除第一选择性金属层的上面部分；

(d)在所得结构的上方形成金属布线，从而将金属布线连接到所述选择性金属层；

其特征在于，所述步骤(c)还包括以下步骤：

(e)在所得结构上形成光致抗蚀剂层，

(f)采用与步骤(a)中相同的光掩模形成穿过所述光致抗蚀剂层的一个第二开口，以暴露所述第一选择性金属层的上面部分；

(g)通过所述第二开口腐蚀第一选择性金属层的上面部分，以致第一选择性金属层不凸伸出所述绝缘层的表面。

7、按照权利要求6的方法，其中，所述选择性金属层是用化学气相淀积技术形成的。

8、按照权利要求6的方法，其中，所述选择性金属层是钨、铝和铜中的一种。

9、按照权利要求6的方法，其中，去除生长过量的选择性金属层上面部分的步骤是用湿式刻蚀法进行的。

10、按照权利要求6的方法，其中，所形成的光致抗蚀剂层的厚度是0.5至1.5微米。

11、按照权利要求10的方法，其中，所述光致抗蚀剂的曝光时间是50秒。

12、按照权利要求6的方法，其中，所述光致抗蚀剂的曝光时间是50秒。