[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

一块具有一主表面的第一导电型半导体衬底；

在所述的半导体衬底的主表面内限定有源区的隔离绝缘膜；

在所述的主表面上在有源区形成的第一导电层，其间设有一绝缘膜；

在所述的隔离绝缘膜和第一导电层之间的主表面所形成的一第二导电型杂质区；

在所述的具有达到杂质区的开口的半导体衬底的主表面上所形成的绝缘层；以及

通过开口电连接到所述的杂质区的第二导电层；其中

所述的隔离绝缘膜在所述的杂质区侧的端部有凹槽部，由所述的隔离绝缘膜的凹槽部提供的端部表面达到所述的半导体衬底；

所述的隔离绝缘膜的端部表面被所述的绝缘层覆盖；以及

所述杂质区没有任何部分到达隔离绝缘膜，并由绝缘层和第一导电型衬底将其与隔离绝缘膜分离，对杂质区无任何介入。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：

另一杂质区，与所述杂质区一起构成绝缘栅型场效应晶体管的一对源漏区；以及

一位线，通过所述绝缘层上设的第二开口，到达所述另一杂质区，与所述另一杂质区电连接。

其中，

所述绝缘膜和所述第一导电层是所述绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜和栅电极，

所述第二导电层是电容的下电极。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述的位线是在所述的电容器的下电极与所述的半导体衬底之间的区域形成的。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述的电容器的下电极是在所述的位线和所述的半导体衬底之间的区域形成的。

5.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下各步骤：

用LOCOS法形成一将有源区限定在半导体衬底主表面内的隔离绝缘膜；

在所述的有源区的预定区形成预定形状的第一导电层，两者之间设有绝缘膜；

用所述的第一导电层和所述的隔离绝缘膜作掩模，将杂质引入所述的有源区的预定区来形成一杂质区；

形成一覆盖所述的半导体衬底并具有一使所述的杂质区侧的所述的隔离绝缘膜端部的预定区域露出来的开口的抗蚀膜；

用所述的抗蚀膜作掩模去掉所述的隔离绝缘膜端部的裸露区，在所述的隔离绝缘膜形成达到所述的半导体衬底的端表面；

形成一覆盖所述的隔离绝缘膜的端表面并具通至所述的杂质区的开口的绝缘层；以及

形成一通过所述的开口与所述的杂质区电连接的第二导电层。

6.根据权利要求13的制造半导体器件的方法，其中的

去掉所述的隔离缘缘膜端部的裸露区的步骤是通过各向异性腐蚀完成的。