[发明专利]制造快速电子可擦可编程只读存储器的源/漏结构的方法

权利要求书

1.一种避免具有pn结的基底表面的pn结电短路的方法，其中pn结的一部分通过腐蚀位于靠近该pn结的场氧化物而被暴露，该方法包括进行一种漏洗注入步骤，以便使该pn结的暴露部分定位在该场氧化物下面以消除此暴露部分。

2.一种制造半导体的器件中的源/漏结构的方法包括以下步骤：

(1)提供一种基片；

(2)在所述的基片上形成一种pn结；

(3)在所述的部分pn结上面形成一种场氧化物；

(4)腐蚀所述场氧化物，其中所述腐蚀步骤使邻近于该基片表面的部分pn结被暴露；

(5)实行一种漏洗注入使得所述pn结的暴露部在所述的场氧化物下面以消除所述的pn结的所述表面暴露；以及

(6)在邻近所述场氧化物层的部分基片上形成一个导电层。

3.如权利要求2的所述方法，其中步骤5是在所述步骤4之后进行。

4.一个制造电可擦可编程只读存贮器中的源/漏结构的方法包括进行漏洗注入的步骤以将pn结的暴露部分定位于一个邻近的场氧化物下面以便消除该暴露部分。

5.如权利要求4的方法，其中进行漏洗注入的步骤还包括在邻近的氧化物隔离层被形成并腐蚀之后进行漏洗注入的步骤。

6.如权利要求4的方法，其中进行漏洗注入的步骤还包括在所述的源/漏结构被自校准硅化之前进行漏洗注入步骤。

7.如权利要求4方法，其中进行漏洗注入步骤的掺杂剂量率大约在1×10¹⁴原子/厘米²和1×10¹⁶原子/厘米²之间。

8.如权利要求4方法，其中进行漏洗注入步骤的杂质剂量的能量大约为20×10³电子—伏特和120×10³电子—伏特之间。

9.如权利要求4方法，其中进行漏洗注入步骤的掺杂剂量大约为3×10¹⁵原子/厘米²能量约为80×10³电子—伏特(80keV)。