[发明专利]采用高电压检测的击穿保护电路

权利要求书

1.一种高电压转换器电路，包含：

一信号输入端；

一信号输出端，响应于所述信号输入，在0伏和一个正电压电平(V_CC)之间以及在0伏和一助增的正电压电平(V_PP)之间转换；

电压电源提供装置，具有一第一转换节点，用于在所述第一转换节点在V_CC和V_PP之间进行电位转换；

第一可控通道，连接在所述第一节点和所述信号输出端之间，所述第一可控通道包括串联的第一和第二p-沟道晶体管，所述第一p-沟道晶体管的源极连接到所述电压电源提供装置，所述第二p-沟道晶体管的漏极连接到所述信号输出端，所述第一和第二p-沟道晶体管都具有栅极；

检测装置，连接到所述电压电源提供装置，用于当所述第一节点处于V_CC时，向所述第二p-沟道晶体管的所述栅极提供地电位，以及当所述第一节点处于V_PP时，向所述第二p-沟道晶体管的所述栅极提供电压V_CC；

第二可控通道，由所述信号输出端到地电位，所述第二可控通道包括串联的第一和第二n-沟道晶体管，所述第一n-沟道晶体管的漏极连接到所述信号输出端，所述第二n-沟道晶体管的源极连接到地电位，所述第一n-沟道晶体管的栅极的连接在于接收一固定的电压V_CC；以及

控制信号装置，它的输入端连接到所述信号输入端，它的输出端连接到所述第一p-沟道晶体管和第二n-沟道晶体管的栅极，用于当所述信号输入端处于逻辑高电平时，向所述栅极提供一个正电压，以及用于当所述信号输入端处于逻辑低电平时，提供地电位，所述正电压足以使所述第一p-沟道晶体管转为关断状态；

其中，当所述第一节点处于V_PP和所述控制信号装置向所述栅极提供所述正电压时，在所述第一p-沟道晶体管的漏极的电压基本上维持在所述第二p-沟道晶体管的栅极电压减去所述第二p-沟道晶体管的阈值电压的电压下。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述的控制信号装置的连接在于提供所述正电压基本上等于V_PP的电压。

3.如权利要求1所述的电路，其中所述的第一和第二n-沟道和p-沟道晶体管是薄栅极MOS晶体管。