[发明专利]半导体存储装置及其数据写入方法无效

专利信息
申请号: 96100878.4 申请日: 1996-01-23
公开(公告)号: CN1102291C 公开(公告)日: 2003-02-26
发明(设计)人: 朴俊培 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆弋
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 数据 写入 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器装置,包括:

具有一对区域的存储器位置;

所述一对区域包括位于第一地址用于存储写入到其中的数据的一个数据存储区域、和与所述数据存储区域对应的一个计数器区域,所述计数器区域邻近所述数据存储区域且具有紧随所述数据存储区域的地址的第二地址,所述计数器区域用于在其中存储表明数据已经被写入到数据存储区域中的次数的计数值。

2.如权利要求1中所述的半导体存储器装置,其特征在于,每当数据被写入到对应的数据存储区域时,所述计数器区域中的计数值被增加1。

3.如权利要求2中所述的半导体存储器装置,其特征在于,所述数据存储区域具有奇数地址,对应的计数器区域具有偶数地址。

4.一种用于半导体存储器装置的数据写入方法,包含以下步骤:

当给出数据写入请求时,读取表明数据已经被写入到数据存储区域的特定地址的次数的值;

当读取的值小于一特定值时就把所述特定地址指定为数据将要写入的地址,并在所述特定地址中写入数据;以及

当读取的值大于所述特定值时就选择数据存储区域的另一个地址,并且重复所述读取和指定步骤。

5.如权利要求4中所述的方法,其特征在于,所述数据区域的每一个地址都分别与计数器区域的每一个地址共同成为一对,使得不论何时特定数据被写到所述数据区域的地址时,所述计数器区域的每个地址的计数值都增加1,从而对数据写到所述数据区域的地址的次数进行计数。

6.如权利要求4中所述的方法,其特征在于,所述特定值是所述数据区的最大写入有效次数。

7.一种用于半导体存储器装置的数据写入方法,包含以下步骤:

读取半导体存储器装置中对应数据存储区域的计数器区域的值;

把读取的计数器区域值与一特定值作比较;

如果读取的值小于所述特定值就把数据写入到所述数据存储区域并把计数器区域值增加1,且重复读取和比较步骤;以及

如果读取的值等于所述特定值就增加数据存储区域的地址。

8.如权利要求7中所述的方法,其特征在于,所述特定值对应于数据能够被写入到所述数据存储区域中的最大次数。

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