[发明专利]半导体存储装置及其数据写入方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储装置及其数据写入方法，更具体地说，涉及一种改进了的半导体存储装置及其数据写入方法，能够通过在存储装置的每一个地址里均匀地写入数据，来防止当把数据集中地写入固定的地址时会发生的半导体存储装置击穿以及写入数据错误。

背景技术

正如本领域普通技术人员所熟知的那样，用于存储计算机程序的存储装置必须具有一种特征，即存储装置中写入的数据，即使在写入后电源瞬时断电，存储装置也能保持这些数据不丢失。为了满足上述需要，工业上使用了一种电可擦除和可编程的ROM(EEPROM)。这里EEPROM具有不易失特点，并且能够在擦除数据后，即使是电源立刻断电，也能向其中写入数据。

图1示出了微电脑和EEPROM之间连接的现有电路。EEPROM含有一个片选信号CS引脚，通过该引脚，微电脑10选择EEPROM20；一个输出准备信号RDY的引脚，通过该引脚可以检查EEPROM20是否处于准备好执行某操作的状态，还是正处在向微电脑报告结果的操作中；一个接收时钟信号CLK的引脚，时钟信号来自微电脑，用于在片选信号CS和准备信号RDY可用时同步微电脑和EEPROM20；输入/输出引脚DI和DO，用于和微电脑10通讯；以及电源引脚Vd和地线引脚GND，用于从外部连接的电源连线中得到电源电压Vdd；以及用于接收表示正确存储结构的特定信号ORG的引脚。

这里，信号ORG用于确定微电脑10和EEPROM20之间的数据格式，当信号ORG施加到电压Vdd引脚，以及数据通过16位单元施加到地线时，信号ORG通过一个8位单元来处理。同时，电容C用做消除噪声的元件。

参照图2和图3，这两个图解释了现有半导体存储装置的操作及其数据写入方法。

首先解释一下数据写入EEPROM20中的操作步骤。当微电脑10向EEPROM20中写入一定数据时，首先生成写入请求命令。当生成了该命令后，微电脑10为选择特定的EEPROM20输出一片选信号CS。施加了片选信号后，EEPROM20输出准备信号RDY，指示EEPROM是处于准备好执行某操作的状态，还是处于向微电脑10进行操作的过程中。判断完准备信号RDY后，如果EEPROM20正在执行某操作，微电脑10就选择另一个EEPROM，或者等待，直到EEPROM完成操作并进入准备状态。同样，如果判断出EEPROM目前没有进行操作，正处于准备状态，微电脑10就向EEPROM20的输入引脚DI输出地址，以及时钟信号CLK。之后，微电脑10向EEPROM20的输入引脚DI输出写命令，并且通过输入引脚DI向EEPROM20中的地址里输出要写入的数据，然后结束操作。

同样，读取写入到EEPROM20中的数据时，微电脑10首先生成读出请求命令，并且输出选择特定EEPROM20的片选信号CS，过程与写入操作一样。施加了片选信号后，EEPROM20输出准备信号RDY，用以指示EEPROM20是否进入了准备状态，可以进行读操作，或者正在操作中。判断完准备信号RDY后，如果EEPROM20正在操作中，微电脑10就选择另外一个EEPROM，或者等待，直到EEPROM20完成操作，变成准备状态。同样，如果判断出EEPROM没有进行操作，微电脑10就把将要读取的数据的地址输出到EEPROM20的输入引脚DI上。之后，当微电脑10向EEPROM20通过输入引脚DI输出读取命令时，EEPROM20就把写入到相应地址的数据读出来，并且通过输出引脚DO把数据输出到微电脑10中，然后结束操作。

但是，如图4中所示，在现有EEPROM20中，写入/读出数据是顺序进行的，并且主要在固定地址上写。另外，数据写入在具有特定功能和特定需求的系统中进行时，如果数据在某地址处写入一定次数，例如10000的100000次，那么相应的地址就可能击穿，或者发生数据写入错误，这样就降低了EEPROM的使用寿命。

发明内容

因此，本发明的一个目的是，提供一种半导体存储装置及其数据写入方法，能够克服现有半导体存储装置及其数据写入方法所遇到的上述问题。

本发明的另一个目的是，提供一种改进了的半导体存储装置及其数据写入方法，能够通过在存储装置的每一个地址里均匀地写入数据，来防止当把数据集中地写入固定的地址时会发生的半导体存储装置击穿以及写入数据错误。