[发明专利]用于在一个基片上电镀-导电层的方法无效
申请号: | 96102416.X | 申请日: | 1996-02-17 |
公开(公告)号: | CN1139709A | 公开(公告)日: | 1997-01-08 |
发明(设计)人: | 卢载遇 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
主分类号: | C25D5/02 | 分类号: | C25D5/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 一个 基片上 电镀 导电 方法 | ||
本发明涉及一种在一个基片上形成一导电层的方法,具体地涉及一种通过使用一聚酰亚胺层在一个基片上形成一导电层的改进的方法。
在图1A到1F中,提供了说明一种用于在一基片上形成或电镀一个导电层的先有技术方法的剖面示意图。众所周知,形成导电层16的处理过程开始于制备一个具有一个上表面的基片10,如图1A所示,在其上用一种诸如溅射的技术形成一由金属制成的种子层12。使用一种旋转涂覆方法将一光刻胶层14淀积在种子层12的顶部上,然后其一部分按照一个预定的的位形作出图样。然后做出图样的部分用一种呈影液除掉,从而暴露出在图样部分下面的种子层12的上表面。
在接着的步骤中,在种子层12的暴露的上表面上形成导电层16,为图1B所示,并用适当的溶液除掉光刻胶层14的剩余部分,如图1C所示。然后用一种适当的蚀刻剂除掉没有被导电层16覆盖的种子层12,如图1D所描述的。
为了绝缘导电层16,通过采用例如溅射方法或蒸镀方法将用诸如二氧化硅(SiO2)或氧化铝(Al2O3)等绝缘材料做的绝缘层18淀积在导电层16的顶部和基片10的没有被做出图样的种子层所覆盖的部分上,如图1E所示。
然而,由导电层16的横向表面和基片10的上表面所形成的楔形的外形,如图1D所示,使得绝缘层18难于均匀地淀积而可能导致在楔形部分形成一个稀薄地填充的绝缘层区域。再者,由于高出基片上表面的导电层16的一个相对大的尺寸和高度,如图1D所示。一个具有显著尺寸的绝缘层18的隆起在导电层16的顶部周围形成,如图1E所示,它必须被弄平以便在下一个光刻处理过程中改善光学分辩率,如图1F所示。
如图1A至1F所说明的上述的电镀方法包括形成和剥除光刻胶层14、沉积绝缘层18、将绝缘层18做成一预定位形的图样并将其上表面弄平等步骤。所以,这些复杂的处理过程往往会使其难以获得所期望的可靠性和成品率。
因此,本发明的一个目的就是提供一种使用聚酰亚胺层的用于在一个基片上形成一导电层的新的方法。
按照本发明,提供有一种在一个具有一上表面的基片上形成一导电层的方法,该方法包括以下步骤:(a)在该基片的上表面上形成一个种子层;(b)按照一个预定的位形在种子层上做出图样;)c)在做出图样的种子层上和该基片的没有被做出图样的种子层覆盖住的部分上淀积一个聚酰亚胺层;(d)引导一光束到形成在做出图样的种子层上的聚酰亚胺层部分上;(e)使聚酰亚胺层的该部分显影,从而曝露出做有图样的种子层;(f)在一个适当的条件下将此聚酰亚胺层的剩余部分固化,从而将其转化为一个绝缘体;以及(g)在曝露的做有图样的种子层上电镀导电层。
本发明的上述及其它目的和特征从以下对结合有附图的最佳实施例的说明中将显而易见,附图中:
图1A至1F示出说明用于在一个先前公开过的种子层上形成一导电层的制造步骤的示意剖面图;以及
图2A至2E表示先前列出的按照本发明用于在一个基片上形成一个导电层的制造步骤的示意剖面图。
图2A至2E,示出了先前列出的按照本发明在一个基片上形成一个导电层的步骤的示意剖面图。
具有3-5μm厚度的导电层的形成开始于制备具有上表面的基片100,通过使用蒸镀法或溅射法在其上形成有100-200厚度的种子110,如图2A所示。种子层110由一顶层和一底层组成,每层具有50-100厚度,顶层用一种导电材料例如金(Au)制成,而底层通常用钛(Ti)制成。
在接着的步骤中,种子层110用光刻法按照一个预定的位形做出图样,从而得到有图案的种子层120,如图2B中所描述的。
在下一个步骤中,一个光敏的聚酰亚胺层130被旋转涂覆于有图样的种子层120的顶部和基片100的没有被做有图样的种子层120覆盖住的部分上,如图2C所说明的。聚酰亚胺层130的厚度由待被形成的导电层的厚度所决定。
此后,在有图样的种子层120的顶部上形成的聚酰亚胺层130的一部分由一光束曝光,此曝光部分用适当的显影剂例如KOH或NaOH显影,从而曝露出做有图样的种子层120,如图2D所描述。接着,聚酰亚胺层130的剩余部分就在适当的条件例如400度下固化约60分钟,以使在其上的剩余部分固化,此剩余部分作为一个绝缘层用于绝缘待被形成的导电层。
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