[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 96103623.0 | 申请日: | 1996-03-18 |
公开(公告)号: | CN1058109C | 公开(公告)日: | 2000-11-01 |
发明(设计)人: | 上田哲也;柴田润;山世见之 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/04;H01L23/28;H01L23/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
具有一个空腔和一个下降台阶表面的基板,空腔用于在其中装配半导体元件,下降台阶表面在空腔的周边上,用于在其上边装置片状部件;
装配在上述空腔中的半导体元件;
装配在上述基板上并和上述半导体元件一起工作的片状部件;
电连接装置,配置于上述基板上,用于把上述空腔内的上述半导体元件和上述台阶表面上与外部电路有关的上述片状部件电连接;
附加到上述基板上的密封装置,用于密封上述空腔内的上述半导体元件,
其特征在于:上述片状部件装配到上述基板的上述下降台阶表面上,并由上述密封装置密封。
2.如权利要求1的半导体器件,其中上述密封装置包括加到上述基板上的盖和一种密封材料,这种材料被灌注到一个限定于盖和基板之间的空间中去,用于密封上述腔体和用于封包在上述下降台阶表面上的上述片状部件。
3.如权利要求1的半导体器件,其中,上述下降台阶表面沿着上述腔体的整个周边伸展。
4.如权利要求1的半导体器件,其中上述密封装置包括加到上述基板上的盖和充填盖和基板之间限定的空间的密封材料,该种材料用于密封上述空腔和用于包封在上述下降台阶表面上的上述片状部件,上述盖包括一个凸出部分,该凸出部分用于紧靠上述台阶表面的侧壁。
5.如权利要求1的半导体器件,其中上述密封装置包括加到上述基板上的盖和基板之间限定的空间的密封材料,用于密封上述空腔和用于包封在上述下降台阶表面的上述片状部件。
6.如权利要求1的半导体器件,还包括一个附加到上述半导体器件上的散热器。
7.如权利要求1的半导体器件,其中上述盖具有形成于其上的凹槽,而且在基板的空腔中用于把上述片状部件装配在其上的上述下降台阶表面被定位成与上述盖的凹槽的平面相对。
8.如权利要求1的半导体器件,其中在上述基板具有其上形成的用于装配上述片状部件的凹部,该凹部被定位成不与上述盖的平面相对。
9.如权利要求1的半导体器件,其中上述基板具有其上形成的用于把上述片状部件装配在其中的凹部,其位置在上述基板的上述空腔之内与上述盖的平面相对。
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