[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件，特别涉及具有中空半导体封装半导体器件，在这种封装中，半导体芯片被加盖密封于多层丝焊基板的空腔之内。

图9是用于图示说明现有技术的半导体封装的透视图，图10是图9所示的半导体封装的剖视图。在这些图中，参考标号1是一个半导体芯片，2是铝制或金制细丝，3是用FR4，BT等树脂制作的多层丝焊基板，4是用铅和锡制作的焊球，5是用BT树脂制作的盖、6是用于密封盖5的密封树脂，7是用铜，铜合金等等制作的金属板，8a是一个小电容值的片状陶瓷电容器，8b是一个大电容值的片状电容器，9是用铝、铜等制成的散热片。

在现有的中空式半导体封装中，众多的焊球4在多层丝焊基板3的表面上排列成一个阵列，半导体芯片1和把半导体芯片1与多层丝焊基板3电连起来的金属丝2被放置在多层丝焊基板3中心的空腔内，而且半导体芯片1和金属丝2等等用盖5密封起来。另一方面，在多层丝焊基板3的表面的中心部位上已经形成了用铜、铜合金等等制作的金属板7，用于散发半导体芯片1所产生的热，而金属板7已装附到用铝、铜等制作的散热片9上。

上述讨论过的片状电容器8a和8b对例如消除噪声，为确保超过50MHz的半导体芯片的高速的必不可少的。在现有的半导体器件中，这样的片状电容器，如图10所示，被装配到上面提到过的多层丝焊基板3的表面上。

但是，就如图10所画出的那样，比如说当把一个小电容值的片状电容8a装配到多层丝焊基板3的表面上的时候，不利的是必须把散热片9安装到片状电容器8a的上边，结果作为一个整体半导体器件将形成厚的厚度。当把一个大电容值的片状电容器8b装配到多层丝焊基板3的表面上时，必须把散热片9装配为不和大电容值片状电容器8b冲突，以致于必须把散热片作成小尺寸，故缺点是产生了从半导体芯1上散热不足和散热效率低的问题。此外，如图10所示，当把大电容器值片状电容器8b装配到多层丝焊基板3的表面上时，由于不利的外部环境条件，片状电容器8b可能从多层丝焊基板3上移开。

因此，本发明的主要目的是提供一种消除了现有装置的上述讨论过的缺点的半导体器件。

本发明的另一个目的是提供一种其整体厚度即便是装配上诸如片状电容器的片状部件时也是薄的半导体器件。

本发明的另一个目的是提供一种半导体器件，在这种器件中即便是装配上诸如片状电容器时也可应用尺寸大的散热片。

本发明的再一个目的是提供一种半导体器件，在这种器件中不必担心诸如片状电容器的片状部件从基板上移去。

根据本发明，半导体器件，包括具有一个空腔和一个下降台阶表面的基板，空腔用于在其中装配半导体元件，下降台阶表面在空腔的周边上，用于在其上边装置片状部件；装配在上述空腔中的半导体元件；装配在上述基板上并和上述半导体元件一起工作的片状部件；电连接装置，配置于上述基板上，用于把上述空腔内的上述半导体元件和上述台阶表面上与外部电路有关的上述片状部件电连接；附加到上述基板上的密封装置，用于密封上述空腔内的上述半导体元件，其特征在于：上述片状部件装配到上述基板的上述下降台阶表面上，并由上述密封装置密封。

密封装置可以包括附加到基板上的盖和注入到限定在盖子和基板之间的一空间的密封材料，该材料用于密封空腔和用于包封在下降台阶的表面上的片状部件，上述下降台阶的表面可沿着空腔的整个周边延伸。盖可以包括一个凸出部件，它被用于紧靠下降台阶表面的侧壁上，或者换一种方案，下降台阶表面可以一个侧壁，该侧壁具有用来紧靠盖的周边的凸出部分。导半体器件还包括可以包括附加到半导体元件上去的散热器。

此外，盖还可有一个形成于其中的凹槽，而在基板空腔中的用于把片状部件装配在其上边的下降台阶表面则被定位成与盖的凹槽的平面相对面的位置。

还有一种供选择的方案，基板可以具有已形成于其中的用于在其中装配片状部件的凹部，该凹部被定位于与盖的平面不是对面的位置上。

此外，基板还可以具有已形成于其中的凹部，凹部用于把片状部件装配在其里边，并被定位于基板的空腔之内与盖的平面相对的位置。

在本发明的半导体器件中，片状部件可以是片状电容器。

下边将结合附图详细地说明本发明的最佳实施例，通过下列详细描述本发明就更容易理解了。这些附图是：

图1是本发明的第1实施例的半导体器件的透视图。

图2是本发明的第1实施例的半导体器件的剖视图。

图3是本发明的第2实施例的半导体器件的透视图。

图4是本发明的第2实施例的半导体器件的剖面图。

图5是本发明的第3实施例的半导体器件的透视图。