[发明专利]快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

权利要求书

1 一种制造快速电可擦可编程只读存储器单元的方法，包括以下各步骤：

使用光刻胶图形作为腐蚀掩模，通过腐蚀工艺，去掉连续形成于硅衬底上的部分第一氧化膜和氮化膜，露出部分所说的硅衬底；

去掉所说的光刻胶图形，再通过使硅衬底表面被暴露部位氧化而形成第二氧化膜；

使用其一部分已被去掉的氮化膜作为掩模，通过去掉所说的第二氧化膜的裸露部位，在去掉所说的第二氧化膜的硅衬底表面上形成凹槽，因而所说的第二氧化膜由一部分已被去掉的氮化膜所覆盖的部位仍维持原样；

在所说的硅衬底的凹槽部位形成漏区；

在凹槽的硅衬底上形成隧道氧化膜，然后在整个结构上形成第一多晶硅层；

使用用于浮栅电极的掩模，通过腐蚀工艺连续去掉所说的第一多晶硅层、其一部分已被去掉的所说的氮化膜、所说的隧道氧化膜以及其一部分已被去掉的所说的第一氧化膜，以形成由所说的第一多晶硅层制成的浮栅电极；

注入控制阈值电压的杂质离子，在所说的浮栅的一侧露出的所说的硅基片上形成选择栅沟道区；

形成选择栅氧化膜和极间氧化膜，再在整个结构上形成第二多晶硅层；和

使用控制栅电极掩模，通过腐蚀工艺，使所说的第二多晶硅层构图形成拼合结构控制栅，并在从所说的控制栅的一侧露出的所说的硅衬底上形成源区。

2 一种根据权利要求1的制造快速电可擦可编程只读存储器单元的方法，其中所说的第一氧化膜是以150～250的厚度形成的。

3 一种根据权利要求1的制造快速电可擦可编程只读存储器单元的方法，其中所说的第二氧化膜是以1500～2500的厚度形成的。

4 一种根据权利要求1的制造快速电可擦可编程只读存储器单元的方法，其中所说的氮化膜是以400～600的厚度形成的。

5 一种根据权利要求1的制造快速电可擦可编程只读存储器单元的方法，其中所说的隧道氧化膜是以80～12的厚度形成的。

6 一种快速电可擦可编程只读存储器单元包括：

一块具有凹槽的硅衬底；

在所说的硅衬底的所说的凹槽部位所形成的漏区；

在所说的硅衬底与所说的漏区隔开的部位所形成的源区；

与所说的硅衬底在所说的漏区和所说的源区间部位及一部分所说的漏区相重叠而形成的浮栅；所说的浮栅以薄绝缘膜与所说的漏区及以厚绝缘膜与所说的硅衬底电隔离；以及

延伸直至所说的源区边缘部位所形成的，覆盖所说的浮栅的控制栅，该控制栅由氧化膜与每个所说的浮栅和所说的硅衬底电隔离。

7 一种根据权利要求6的快速电可擦可编程只读存储器单元，其中所说的薄绝缘膜是隧道氧化膜。

8 一种根据权利要求7的快速电可擦可编程只读存储器单元，其中所说的隧道氧化膜是以80～120的厚度形成的。

9 一种根据权利要求6的快速电可擦可编程只读存储器单元，其中所说的厚绝缘膜是通过淀积厚150～1000厚的至少一种绝缘材料形成的。

10 一种根据权利要求6的快速电可擦可编程只读存储器单元，其中所说的厚绝缘膜是由氧化膜和氮化膜双重结构形成的。

11 一种根据权利要求10的快速电可擦可编程只读存储器单元，其中所说的氧化膜按厚150～250形成的。

12 一种根据权利要求10的快速电可擦可编程只读存储器单元，其中所说的氮化膜按厚400～600形成的。