[发明专利]钝化有机发光二极管的方法

权利要求书

1.钝化有机发光二极管的一种方法，其特征在于有以下步骤：

提供了在支持基片上的有机发光二极管；

在低于300℃的温度下把一层无机绝缘材料覆盖在该有机发光二极管上；

在绝缘材料上密封地接合一层元机层从而实质性地密封该有机发光二极管。

2.如权利要求1所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于：用低温绝缘材料来覆盖该有机发光二极管的步骤还通过在低压氧的环境中蒸发该绝缘材料来产生在该有机发光二极管上的薄膜。

3.如权利要求2所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于：蒸发绝缘材料的步骤还通过在低压氧的环境中蒸发一氧化硅来产生在该有机发光二极管上的一层二氧化硅的薄膜。

4.如权利要求3所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于在低压氧环境下的蒸发氧化硅来产生二氧化硅薄膜的步骤在大约10^-4乇的含氧的气体环境下蒸发氧化硅。

5.如权利要求1所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于在绝缘材料上密闭封接无机材料层的步骤还配给金属外壳并且在绝缘材料薄膜上密闭封接该金属外壳，以此来实质性地密封有机发光二极管。

6.如权利要求5所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于在绝缘材料薄膜上密闭封接金属外壳的步骤还在把有机发光二极管保持在大约10^-4乇的气体环境下的同时将该金属外壳固定在绝缘材料薄膜上。

7.如权利要求5所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于密闭封接金属外壳的步骤还使用低温焊料进行密封。

8.如权利要求7所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于使用低温焊料进行密封来密闭封接金属外壳的步骤还使用以铟为基本成分的焊料。

9.如权利要求5所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于在绝缘材料薄膜上密闭封接金属外壳之前沉积一层吸气剂材料，从而将吸气剂材料的层配置在金属外壳之内。

10.如权利要求9所述的钝化有机发光二极管的方法，其特征在于在绝缘材料薄膜上密闭封接金属外壳的步骤还使用有机粘合剂。