[发明专利]钝化有机发光二极管的方法无效
申请号: | 96105465.4 | 申请日: | 1996-04-25 |
公开(公告)号: | CN1092396C | 公开(公告)日: | 2002-10-09 |
发明(设计)人: | T·B·哈维三世;F·苏 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L21/314 | 分类号: | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/56;H01L51/40 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陆立英 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钝化 有机 发光二极管 方法 | ||
本发明是关于有机器件的并且专门关于被钝化的有机器件和钝化(passivation)的方法。
有机器件,尤其是有机发光二极管(LEDs)及类似的有机器件,通常在阴极上使用一层活性金属来保证效率高的电子注入电极和低的工作电压。但是。活性金属受氧和湿度的影响,特别是在工作期间。金属的氧化限制了器件的寿命。通常需要密封来实现长期稳定性和长的工作寿命。使用了若干类型的密封,其中最常用的是例如金属等诸如此类的无机材料。
在有机器件的制造和钝化中的另一个问题是有机器件的有机层不能承受很高的温度(通常高于大约300℃)。在很多情况下,甚至接近有机层的临界(critical)温度,尤其是如果升高的温度被保持相对来说较长的时间,可以使有机材料退化并降低可靠性和/或工作寿命。
近来一种密封有机器件的工艺是用例如陶瓷或金属的无机材料来覆盖它们,从而实现密封。可是,有机器件对在陶瓷和金属的沉积中通常所需要的高温非常敏感。因此,为了符合低温标准,通常必须使用PECVD方法来沉积陶瓷或金属材料。使用这一密封方法的主要问题是在PECVD沉积的期间存在着对有机器件的辐射损坏的较大可能性。
因此,非常希望设计一种相对来说便宜而方便的密封有机器件的方法。
本发明的目的是提供一种新的和改进了的钝化有机器件的方法。
本发明的目的还在于提供一种新的和改进了的在较低的温度下钝化有机器件的方法。
本发明的另一个目的是提供一种新的和改进了的相对来说方便而又花钱不多就能实现的钝化有机器件的方法。
本发明提供了一种钝化有机发光二极管的一种方法,其特征在于有以下步骤:提供了在支持基片上的有机发光二极管;在低于300℃的温度下把一层无机绝缘材料覆盖在该有机发光二极管上;在绝缘材料上密封地接合一层无机层从而实质性地密封该有机发光二极管。
在一个典型的实施例中,该绝缘层是SiO2而无机(材料)层是金属外壳。在一些实施例中,可以在金属外壳内配置吸气剂材料来除出剩余的氧或湿气并且除去渗入的少量(氧或湿气),从而进一步增加了该有机器件的寿命。
参照附图,其中对于所有不同的外形(view),同样的符号表示同样的部件:
图1是有机光发射二极管的简化的剖面图;并且
图2是说明根据本发明的钝化方法的一个有机光发射二极管阵列的简化的剖面图。
具体地,参照图1,在这个具体的实施例中,基片10被表示出,它是某种光学洁净(clear)材料,例如是玻璃、石英、透明半导体材料或诸如此类的材料。一个典型的有机光发射二极管12(LED)被安置在基片10上,通常是使用制造有机光发射二极管(LEDs)的诸方法中的任一种方法来直接在基片10上制造LED12。
在这个具体的例子中,LED12包括沉积在基片10的上表面上的一层透明导体材料14,该透明导体材料例如是铟—锡—氧(Indi-um-tin-oxide,即ITO)或诸如此类的材料。可以是任何方便的方法在导体层14的上表面沉积一层有机电致发光层16。有机电致发光层16相当于LED12的有源有机层并且可以包括从一层到几层的子层,如本技术领域的内行人所熟悉的那样。一个金属接触面18处于有机电致发光层16的上表面来用作LDE12的阴极。接触面18至少包括一层活性的、低功函数(work function)的金属的薄层,该金属如上所述易受在环境大气中的氧和湿度的影响,因此,必须被钝化来达到可靠性和合理水平的长的工作寿命。
在图2中表示了根据本发明的钝化一个或多个LDEs的方法。在图2中多个LEDs被表示成一个有机LED阵列20的形式。如本技术领域的内行人所知,例如是ITO的一层透明导体材料22处于基片23的上表面,该基片也是透明的并且可以是例如玻璃或诸如此类的材料。层22被排列成行并且在层22的行上形成多个LEDs。这些LEDs中的每一个的上面的金属接触部分24被连接到列,于是,阵列20中的LEDs的每一个被单独地寻址。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司,未经摩托罗拉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/96105465.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造