[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96106746.2 | 申请日： | 1996-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1047872C | 公开（公告）日： | 1999-12-29 |
| 发明（设计）人： | 朴賛光 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有绝缘层上硅结构的半导体器件，包括：
第一硅基片；
在第一硅基片上形成的第一硅氧化膜；
具有形成在有源区的第一硅氧化膜上的梯形截面结构的第二硅基片；
该半导体器件的特征在于：
在第二硅基片的每个侧壁上形成的侧壁绝缘膜；
在第二硅基片的所需部分上形成的栅氧化膜；
在栅氧化膜上形成的栅电极；和
分别确定在第二基片的不与栅电极重叠的部分中的源/漏掺杂扩散区。
2.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于侧壁绝缘膜由掺入了具有与第二硅基片相反导电类型的杂质离子的材料所制成。
3.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于进一步包括确定在第二硅基片的侧壁和侧壁绝缘膜之间的掺杂区。
4.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于进一步包括：置入第二硅基片的侧壁和侧壁绝缘膜之间的侧壁多晶硅层。
5.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于还包括形成在侧壁绝缘膜上的侧壁多晶硅膜，该侧壁多晶硅膜的导电类型与第二硅基片的导电类型相反。
6.用于制造具有绝缘层上硅结构的半导体器件的方法，包括下列步骤：
在第一硅基片上淀积第一硅氧化膜，然后在第一硅氧化膜上淀积硅基片层；
使硅基片层构图，由此形成具有梯形截面结构并布置在有源区的第一硅氧化膜上的第二硅基片；
在第二硅基片的每个侧壁上形成掺入了具有与第二硅基片不同导电类型的杂质离子的侧壁绝缘膜；
以把掺在侧壁绝缘膜中的杂质离子扩散到第二硅基片的侧壁中的方式使侧壁绝缘膜退火，由此形成掺杂区；
依次在第二硅基片的所需部分上形成栅氧化膜和栅电极；以及
在第二基片的不与栅电极重叠的部分中注入高浓度的杂质离子，由此形成源/漏掺杂扩散区。
7.根据权利要求6的用于制造具有绝缘层上硅结构的半导体器件的方法，还包括以下步骤：在侧壁绝缘膜上淀积掺杂的侧壁多晶硅膜，掺入的杂质离子的导电类型与第二硅基片的导电类型相反。
8.根据权利要求6的用于制造具有绝缘层上硅结构的半导体器件的方法，还包括以下步骤：在侧壁绝缘膜上淀积未掺杂的侧壁多晶硅膜；将其导电类型与第二硅基片的导电类型相反的杂质离子掺入到未掺杂的多晶硅膜中。
9.根据权利要求6的用于制造具有绝缘层上硅结构的半导体器件地，其中退火步骤在800℃到1000℃的温度范围内进行。
10.根据权利要求6的用于制造具有绝缘层上硅结构的半导体器件的方法，其中用于形成掺杂区的退火步骤可以与用于形成源/漏杂质扩散区的退火步骤同时进行。
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