[发明专利]快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

权利要求书

1.一种快速EEPROM单元，包括：

第一浮栅，由第一隧道氧化膜与硅基片电绝缘；

第二浮栅，由第二隧道氧化膜与所述硅基片电绝缘，该第二浮栅靠近且平行于所述第一浮栅，第二浮栅的一边与第一浮栅的一边重叠；

一介质膜垫片，形成在所述第一浮栅和第二浮栅之间；

一介质膜，形成在所述第一浮栅和第二浮栅上；

一控制栅极，形成在所述第一浮栅和第二浮栅之上，其中该控制栅极与所述第一和第二浮栅之间由所述介质膜电绝缘；

一个源区，形成在所述硅基片中，并且与所述第一浮栅另一边的一部分重叠；以及

一个漏区，形成在所述硅基片中，并且与所述第二浮栅另一边的一部分重叠。

2.一种制造EEPROM单元的方法，包括如下步骤：

在硅基片上形成第一隧道氧化膜；

形成第一多晶硅图形以确定第一浮栅的宽度和一边；

在第一多晶硅图形的壁上形成一介质膜垫片；

在形成所述介质膜垫片后产生的结构上形成第二隧道氧化物；

在与第一多晶硅图形平行的位置上形成第二多晶硅图形以确定第二浮栅的宽度和一边；

顺序地形成一介质膜和第三多晶硅膜；

通过采用掩模而蚀刻第三多晶硅膜形成一控制栅极，其中第一和第二多晶硅图形的其它边被连续地蚀刻；并且

在硅基片上采用离子注入处理而形成一个源区和一个漏区。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二浮栅的一边与所述第一浮栅的一边重叠。