[发明专利]半导体基片的清洗方法、清洗系统和制造清洗液的方法

权利要求书

1.一种半导体基片的清洗方法，所说的方法包括步骤

将纯水供给清洗槽；

将氯气加入所说的纯水中，从而在所说的纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子；和

在含所说的氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸离子的纯水中浸渍半导体基片，在所说的纯水中溶解的所说的氯气量在0.003wt％至0.3wt％的范围内。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于所说的供给所说的氯气的纯水的温度在0℃至70℃的范围内。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在浸渍所说的基片的所说步骤过程中，用紫外光照射所说的含所说氯离子，次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于通过离子交换树脂清除在所说纯水中含有的金属络合盐和氯。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在供给所说的纯水和所说的氯气的工艺过程中，屏蔽可见光和紫外光中至少一种对所说含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水的照射。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在浸渍所说基片的工艺过程中加热所说的纯水。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征是在浸渍所说基片的工艺过程的前、后冷却所说的纯水，以避免由于加热使所说的

对半导体基片进行清洗反应的清洗槽；

将纯水供给清洗槽的纯水供应系统；和

将氯气供给存在于槽中的纯水的氯气供应系统；

其特征在于所说的氯气与所说的纯水发生反应，生成ClOx^-离子；和

将所说的含ClOx^-离子的纯水用作置于所说槽中的所说半导体基片的清洗液。

9.根据权利要求8所述的清洗系统，还包括用于加热含所说氯气的所说纯水的加热器。

10.根据权利要求8的所述的清洗系统，其特征在于由微波振荡器构成所说的加热器。

11.根据权利要求8所述的清洗系统，还包括用于冷却含所说氯气的所说纯水的冷却器。

12.根据权利要求8所述的清洗系统，还包括在浸渍所说基片的所说工艺步骤中，用紫外光照射含所说ClOx^-离子的所说纯水的紫外光光源。

13.根据权利要求8所述的清洗系统，还包括用于清除所说纯水中含有的金属络合盐和氯的离子交换树脂。

14.根据权利要求8所述的清洗系统，还包括用于切断可见光和紫外光中至少一种光线对含所说ClOx^-离子的所说纯水的照射的屏蔽。

15.一种制造清洗液的方法，所说的方法包括步骤：

在容器中制备纯水；和

通过气泡将氯气加入所说的纯水中从而在所说的纯水中产生ClOx^-离子。

16.根据权利要求15所述的制造清洗液的方法，其特征在于在将氯气提供给所述纯水，直到所说纯水中溶解的所说氯气的含量在0.003wt％至0.3wt％的范围内。