[发明专利]红、蓝、紫外光发射多孔硅的水热制备法

权利要求书

1、一种红、蓝、紫外光发射多孔硅的制备方法，其特征在于采用水热腐蚀技术，即：将单晶硅置于高压釜内衬里由氟化物和酸以1∶1-10摩尔比配制而成的、含氟化物浓度为0.01-0.80摩尔/升的水溶液中，通过加入包括HNO₃在内的氧化剂来调节体系的氧化气氛，采用HNO₃时的浓度低于11.0摩尔/升；升温到100-250℃，保温1-2.5小时。

2、如权利要求1所述多孔硅的制备方法，特征在于所述调节体系氧化气氛所用的氧化剂包括HNO₃和/或H₂O₂、KMnO₄、CrO₂。

3、如权利要求1所述多孔硅的制备方法，特征在于所述氧化气氛的调节，在制备红光发射(600-800nm)的多孔硅时，氟化物浓度低于0.3mol/L，不加氧化剂，或加入氧化剂按HNO₃计其浓度低于5.0mol/L。

4、如权利要求1所述多孔硅的制备方法，特征在于所述氧化气氛的调节，在制备蓝光发射(430-530nm)的多孔硅时，氟化物浓度为0.20-0.80mol/L，加入氧化剂按HNO₃计其浓度为5.0-11.0mol/L。

5、如权利要求1所述多孔硅的制备方法，特征在于所述氧化气氛的调节，在制备紫外光发射(300-430nm)的多孔硅时，水热腐蚀的温度高于150℃，保温时间超过1.5小时，其它条件同蓝光发射多孔硅。