[发明专利]在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法无效
| 申请号： | 96108935.0 | 申请日： | 1996-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1048819C | 公开（公告）日： | 2000-01-26 |
| 发明（设计）人： | 崔璟根 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作 阻挡 扩散 金属 方法 | ||
1、一种在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法，该方法可防止在所述半导体器件中的金属导线材料扩散进入所述金属导线下的硅层，其特征在于所述方法包括如下步骤：
将所述硅层表面暴露于氧等离子体中，以防止在所述的硅层和阻挡扩散金属层之间的界面上形成硅化物；
在所述硅层上形成第一阻挡扩散金属层；
在所述的第一阻挡扩散金属层中注入氧离子；并且
在所述第一阻挡扩散金属层上形成第二阻挡扩散金属层。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一和第二阻挡扩散金属层为钌层。
3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述O2等离子体是在低于50W的低功率和在PECVD室中5sccm到50sccm的气流下形成的。
4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的氧离子的密度为1015～1019个离子/cm2的剂量。
5、根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的第一阻挡扩散金属层的形成厚度为100埃到500埃。
6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于形成所述第二阻挡扩散金属层的步骤进一步包括所述第一和第二阻挡扩散金属层的氧化步骤。
7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述氧化步骤为在一个管中进行热处理一至五小时，管中氩和氧被混合。
8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述管中的氩/氧的气流量为100sccm/10sccm到2000sccm/300sccm。
9、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化步骤为在一个管中进行热处理一至五小时，管中氮和氧被混合。
10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述管中的氮/氧的气流量为100sccm/10sccm到2000sccm/300sccm。
11、根据权利要求8或10所述的方法，其特征在于，所述管中的温度为400℃到700℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/96108935.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：丙二醇甲醚丁酯化合物和其异构物及其制法
- 下一篇：类胡萝卜素的色素及淀积方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
