[发明专利]高密度金属栅金属氧化物半导体的制造方法无效

专利信息
申请号: 96109328.5 申请日: 1996-09-09
公开(公告)号: CN1072392C 公开(公告)日: 2001-10-03
发明(设计)人: 梁伟成 申请(专利权)人: 美禄科技股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 滕一斌
地址: 台湾省新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 高密度 金属 氧化物 半导体 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高密度金属栅金属氧化物半导体的制造方法,其特征在于所述的方法其依次步骤为:

在第二型晶片的特定区域上,形成第一型阱区;

生长一遮蔽层,在第二型晶片表面上生一薄氧化层垫,并在其上再附一氮化层;在第一型阱区的两侧边垂直延伸位置上,利用印刻技术开天窗、蚀刻技术去除遮蔽层,并将第一型离子注入第一型阱区内,形成第一型掺杂区;

重新再生长一氧化层,并在第一阱区的另一紧临第一型掺杂区垂直延伸位置的近中央部分区域,利用印刻技术开天窗、蚀刻技术去除遮蔽层,将第二型离子注入第一型位阱区内,形成第二型掺杂区,分别为元件的源极或漏极部分;

生长一氧化层,并去除剩余的氮化层;

去除氧化层垫,并再重新生长一绝缘氧化层;

形成接触窗;

形成栅极及金属层导线;

及保护层处理。

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