[发明专利]使金属层构成图案的方法

权利要求书

1、使一个形成在一个基底上的金属层构成图案的方法，该方法包括以下步骤：

(a)在金属层上形成一个掩模层，该掩模层包括一个底面和与底面具有一个倾角θ的一个倾斜壁；又

(b)使该金属层构成图案成为一个预先确定的结构，该结构包括通过采用掩模层的一个平坦的底面，与该平坦的底面具有一个倾角φ的一个倾斜壁。

2、如权利要求1的方法，其中，角φ由下式确定：

       tanφ＝Rtanθ其中R为掩模层的蚀刻率与金属层的蚀剂率之比。

3、如权利要求2的方法，其中，R小于1。

4、如权利要求1的方法，其中，步骤(a)包括下列步骤：

(a1)在金属层上沉积掩模层；

(a2)在掩模层上形成一个光刻胶层；

(a3)将光刻胶层的一部分由一束光曝光；

(a4)显影该部分；且

(a5)采用一种蚀刻剂蚀刻该掩模层，由此给出该掩模层的底面和与该底面具有一个倾角θ的倾斜壁。

5、如权利要求4的方法，其中，步骤(a)进一步包括介于步骤(a4)和(a5)之间的一个步骤：

制备能够改变掩模层蚀刻率的蚀刻剂，由此控制介于底面与掩模层倾斜壁之间的角度θ。

6、如权利要求4的方法，其中，光刻胶层由聚酰亚胺制成。

7、如权利要求1的方法，其中，金属层由磁性材料制成。

8、如权利要求7的方法，其中，磁性材料由坡莫合金制成。

9、如权利要求7的方法，其中，磁层具有8-10μm的厚度。

10、如权利要求4的方法，其中，掩模层由二氧化硅(SiO₂)制成。

11、如权利要求10的方法，其中，该掩模层由一种蚀刻剂来蚀刻，该蚀刻剂由氟化铵(NH₄F)和氟化氢(HF)制成。

12、如权利要求11的方法，其中，角θ是通过改变蚀刻剂中氟化铵(NH₄F)和氟化氢(HF)的比例来控制。

13、如权利要求10的方法，其中，掩模层具有16-20μm的厚度。

14、如权利要求1的方法，其中，金属层采用一种离子磨削方法来构成的图案。

15、在一个薄膜磁头中从一个磁层形成一个下磁极的方法，该下磁极具有一个形状，该形状允许在其上方便地形成一个薄且均匀的绝缘层，该方法包括下列步骤：

(a)制备一个在其上面形成有磁层的基底；

(b)在磁层上面形成一个包括一个或多个倾斜壁的掩模层，倾斜壁中的每一个分别相对于底面以一个预先确定的第一角度倾斜；且

(c)使该磁层构成图案成为包括一个平坦底面的下磁极，由此获得一个或多个倾斜壁，倾斜壁中的每一个分别相对于该平坦底面以一个预先确定的第二角度倾斜，其中预先确定的第二角度通过改变掩模层的蚀刻率与磁层的蚀刻率之间的比率来控制。

16、如权利要求15的方法，其中，基底由氧化铝(Al₂O₃)制成。

17、如权利要求15的方法，其中，薄且均匀的绝缘层是由氧化铝(Al₂O₃)制成的。

18、如权利要求15的方法，其中，掩模层是由二氧化硅制成的。