[发明专利]使金属层构成图案的方法无效
申请号: | 96109619.5 | 申请日: | 1996-08-27 |
公开(公告)号: | CN1153372A | 公开(公告)日: | 1997-07-02 |
发明(设计)人: | 卢载遇 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;H01F41/14;C23F1/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 构成 图案 方法 | ||
本发明涉及一种用于盒式视频记录器的薄膜磁头,且,更特殊地,涉及一种通过采用一个掩模层来形成一个下磁极的改进方法。
众所周知,薄膜磁头被广泛用于读取、记录和/或擦除在一个磁带或盘上的信号。图1所示为一个典型薄膜磁头100的一个示意横剖面图。薄膜磁头100包括一个形成在基底110上的一个第一磁层124,形成在第一磁层124顶部和基座110的上表面的一部分上的一个第二磁层126,沉积在第二磁层126的一部分上面的一个第一绝缘层134,由金属导体制成并形成在第一绝缘层134上面的一个有图案的线圈层140,覆盖有图案的线圈层140和第一绝缘层134的一个第二绝缘层138以及形成在第二绝缘层138上面的一个上磁极136,而上磁极还覆盖第二磁层126的部分以及第一绝缘层134中未被第二绝缘层138覆盖的部分,其中下磁极125由第一和第二磁层124,126组成。进一步,由于第二磁层126在第一磁层124上具有一个台阶,以后形成在它们上面的每一层也具有一个台阶,造成一个台阶区域142。
在图2A至2F中,所提供的示意横剖面图说明了一种在图1所示的基底110上面形成下磁极125的一种典型的现有技术的方法。
构成下磁极125和过程是从一个播种层(Seed layer)112的构成开始的,该层由金属制成,通过采用如溅射这样的技术形成在基底110上面。一个第一光刻胶层,如一种正型(positive type)光刻胶,通过采用,如一种旋涂方法,被沉积到第二播种层112的上面,然后,经过预先确定的方案在其中构成图案部分116,118,由此如图2A所示,使播种层112的部分暴露出来。
在下一个步骤中,图案部分116中的一部分122由一束光曝光,如图2B所示。如图2C所示,在播种层112上已暴露出来的部分上电镀上了一个第一磁层124,且如图2D所示,通过采用适当的显影剂去除图案部分116中被曝光的部分122。
下一步,如图2E所示,一个第二磁层126被电镀到第一磁层124和播种层112位于被曝光部分122下面的那部分的上面。如图2F所示,有图案部分118和120被去除,然后,所有不需要的第一和第二磁层和播种层从基底110上去除。
如下一步而言,如图1所示,第一绝缘层134被沉积到下磁极125和基底110不被下磁极125所覆盖的部分的上面。第一绝缘层134所起的作用是作为下、上磁极125、136之间的间隔,其中第一绝缘层134的厚度在薄膜磁头的性能中起到一个关键的作用,因为一个较窄的间隔将磁场限制到磁带上一个较小的部分,从而允许更多的磁信号被记录在一个给定的磁带长度上。
上述方法的主要缺定之一就是:要均匀并且细薄地在下磁极125上形成第一绝缘层134是困难的,这是因为存在一个陡的台阶150,在图2F中用虚线圆圈来表示。
因此,本发明的一个主要目的是提供一种可在其上沉积一层薄绝缘层的下磁极,且该绝缘层在整个范围上具有均匀的厚度。
根据本发明的一个方面,所提供的方法是从一个金属层来形成一个下磁极,该下磁极所具有的形状使一层薄而且均匀的绝缘层能在其上面方便地形成,该方法包括下列步骤:(a)在金属层上沉积一个掩模(Mask)层;(b)在掩模层的上面形成一个光刻胶层;(c)将该光刻胶层的一部分曝光;(d)显影该曝光部分;(e)蚀刻掩模层并由此提供一个底面和一个相对于掩模层上的底面具有一个倾角θ的倾斜壁(wall);以及(f)使该金属层形成图案成为下磁极,包括通过采用被蚀刻的掩模层的一个平坦底面,由此获得一个相对于金属层上的平坦底面具有一个倾角φ的倾斜壁,其中角度φ由下式确定:
tanφ=Rtanθ其中R表示掩模层和金属层的蚀刻率之比。
从下面给出的结合附图对优选实施方案的描述中,本发明的上述及其他目的和特征将变得显而易见,其中:
图1所示为一个常规的薄膜磁头的一个示意横剖图;
图2A至2F所提出的示意横剖图说明了一种在图1所示的薄膜磁头中形成一个下磁极的典型现有技术方法;及
图3A至3F所提供的示意横剖图说明了一种根据本发明的一个优选实施方案加工一个下磁极的方法。
优选实施方案的详细描述
参见图3A至3F,所示的示意横剖图说明了加工用于根据本发明的一个薄膜磁头的一个下磁极所涉及的步骤。
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