[发明专利]高输出功率的高频静态感应晶体管

权利要求书

1，一种静态感应晶体管，它包括，

具有第1导电类型的漏区；

设置在所述漏区上面有所述第1导电类型的沟道区；

许多沟槽，每一个沟槽形成在所述的沟道区中；

许多源区，它具有所述的第1导电类型，每一源区设置在所述沟道区中，以便被设置在所述的许多槽之间；

许多栅区，具有第2导电类型，每一栅区设置在所述槽的底部，其中，所述许多栅区和所述许多源区相互平行设置；

保护环区，具有所述的第2导电类型，设置在所述沟道区，围绕所述许多栅区设置所述的保护环区，使所述许多栅区中的最外边栅区分别与所述保护环区的一边重叠，所述许多栅区中的每一个在两边和所述保护环区相连。

2，按照权利要求1的静态感应晶体管，其特征是，所述保护环的宽度等于或者大于所述许多栅区中的每一栅区与所述漏区之间的距离。

3，按照权利要求1的静态感应晶体管，其特征是，在所述沟道区设置具有所述第2导电类型的浮置区，以便包围所述保护环区。

4，按照权利要求1的静态感应晶体管，其特征是，在所述沟道区设置具有所述第1导电类型的半导体区，以便包围所述保护环区。

5，按照权利要求4的静态感应晶体管，其特征是，利用所述的半导体区作为切割区。

6，按照权利要求1的静态感应晶体管，其特征是，在所述沟道区利用绝缘膜，设置具有指状结构的源和栅电极。

7，一种静态感应晶体管包括：

具有第1导电类型的漏区；

在所述漏区上面设置沟道区，它具有所述的第1导电类型；

许多沟槽，其中每一沟槽形成在所述沟道区中，并且具有一底部；

具有所述第1导电类型的许多源区，每一源区设置在所述沟道区上面，以便被设置在所述许多槽之间，其中相互平行地设置所述的许多槽和所述的许多源区；

许多栅区，具有第2导电类型，每一个栅区设置在所述的底部；

设置在所述沟道区的保护环区，具有第2导电类型，设置所述的保护环区，包围所述许多栅区，使所述许多栅区中的最外边栅区，分别与所述保护环区的一边互相重叠，并且，所述许多栅区中的每一个栅区在其两边和所述的许多栅区耦连；

源电极，其中每一个源电极设置在所述许多源区中的相应的一个源区上；

栅电极，其中每一个栅电极设置在所述栅区中的相应一个栅区上；

第1和第2接触点，利用绝缘膜被设置在所述保护环区，并分别与所述源电极和所述栅电极相连。

8，按照权利要求7的静态感应晶体管，其特征是，使所述许多源区中的每一个源区和所述许多栅区中的每一个栅区相互交叉设置。

9，按照权利要求7的静态感应晶体管，其特征是，相互相对设置所述第1和第2接触点。

10，按照权利要求7的静态感应晶体管，其特征是，所述许多栅区和所述许多源区，相对于连接所述第1和第2接触点的直线是对称的。

11.一种静态感应晶体管包括：

具有第1导电类型的漏区；

设置在所述漏区上面的沟道区，具有所述第1导电类型；

具有第2导电类型的保护环区，所述保护环区设置在所述的沟道区，以便限定由所述保护环区的公共区隔开的第1和第2区；

许多槽，其中每一槽形成在所述第1和第2区中的所述每一区中并且有一个底部；

具有所述第1导电类型的许多源区，每一源区设置在所述第1和第2区中的所述每一区上，以便被设置在所述许多槽之间，其中，所述许多槽和所述许多源区相互平行地设置；

许多栅区，具有第2导电类型，每一个栅区设置在所述的底部；

源电极，其中每一个源电极设置在所述许多源区中的相应一个源区上面；

栅电极，其中每一个栅电极设置在所述许多栅区中的相应一个栅区上面；

第1和第2接触点，利用绝缘膜被设置在所述保护环区上面，并且连到所述源电极上；    

第3接触点，利用所述绝缘膜设置在所述保护环区的所述公共部分上面，并连到所述栅电极。

12，按照权利要求11的静态感应晶体管，其特征是，所述第1，第2和第3接触点排成一直线(对准)。