[发明专利]沟槽型双扩散型MOS装置及其制造方法

权利要求书

1、一种沟槽型DMOS装置，其特征在于包括：由具有第1导电型的高浓度半导体物质的第一区(10a)和在该第一区上形成的具有同一导电型的低浓度半导体物质的第二区10b构成的半导体基底10；在上述第二区上形成的第2导电型的扩散层(11)；在上述扩散层(11)的表面形成的具有第1导电型的高浓度接触区(12)；  以贯通上述接触区和第二区、延伸到上述第一区的上部，并且相互之间以规定距离形成将上述接触区至少分离为3个以上的区域的至少2个以上的沟槽(13a、13b)；  在上述至少2个以上的沟槽的各自的侧壁和底部表面上分别形成的栅极氧化膜(14a、14b)；在上述栅极氧化膜上形成的多晶硅膜(15a、15b)。

2、一种沟槽型DMOS装置的制造方法，  其特征在于包括以下步骤：

制备具有第1导电型的高浓度半导体物质的第一区(10a)的工序；在上述第一区上形成具有上述第一区的导电型相同的导电型的低浓度半导体物质的第二区(10b)的工序；在上述第二区上形成具有第2导电型的扩散层(11)的工序；使用形成源极用的掩模、在上述扩散层(11)的表面注入第1导电型的杂质离子，形成高浓度接触区(12)的工序；使用形成沟槽用的掩模、贯通上述接触区(12)和上述扩散层(11)并延伸到上述第二区的上部，  相互之间以规定距离形成至少2个以上的沟槽(13a、13b)，由该沟槽将上述接触区(12)分割为至少3个区域(12a、12b、12c)的工序；  在上述至少2个以上的沟槽的侧壁和底部表面上形成栅极氧化膜(14a、14b)的工序；在上述栅极氧化膜上形成多晶硅膜(15a、15b)的工序。

3、如权利要求2所述的沟槽型DMOS装置的制造方法，其特征在于：上述形成源极用的掩模是由光刻技术形成的所定图案的电介质膜。

4、如权利要求3所述的沟槽型DMOS装置的制造方法，其特征在于：上述电介质膜是氧化硅膜。

5、如权利要求2所述的沟槽型DMOS装置的制造方法，其特征在于：上述形成沟槽用的掩模是由光刻技术形成的所定图案电介质膜。

6、如权利要求2所述的沟槽型DMOS装置的制造方法，其特征在于：上述电介质膜是氧化硅膜。