[发明专利]半导体芯片封装件的制造方法

说明书

本发明一般地说涉及到半导体芯片封装件的制造方法，具体地说涉及到采用具有树脂挡条的引线框来制造半导体芯片封装件的方法。

图1是具有挡条的常规引线框的透视图；图2示明芯片接合到引线框上的情形。参看图1与图2，常规的引线框100包括：一对相对设置的侧轨60；上面将安装芯片(未示明)的模垫(diepad)20；用来使上述模垫相对上述侧轨作机械与整体连接的系条50；一对引线排30；每一引线排都布置成与模垫20的侧边分开一定距离；以及挡条40，它们沿垂直方向跨过这些引线排并同侧轨整体连接。

更详细地说，有一对相对设置的侧轨60，在各条侧轨的相对应的一些部位上有规则地形成一批通孔62。当引线框100在半导体芯片封装线中移动时，侧轨60则与具有一批突起的轨道(未示明)接触。也就是说，上述轨道的突起是配合到侧轨60的各相应通孔62之内。因而当所述轨道移动时，引线框100也移动。

模垫20形成于对峙的两条侧轨60之间，通过系条50与侧轨60整体连接。

有一对引线排30按平行的形式形成，在模垫20的各侧附近各设置一个引线排。引线30将同安装在模垫20上的芯片电连接。厚度与引线相同的挡条40沿垂直方向按跨过这些引线排30的形式形成。挡条40起到阻挡模制的树脂化合物在模制过程中的溢料的阻挡件作用。引线30是镀钯或镀镍的，保护其免受外部环境影响。

图3表明芯片对引线框的电连接；图4表明带有模制芯片的引线框。参看图3与4，芯片10用Ag-环氧树脂粘合剂粘合到模垫20上。芯片10通过将芯片10表面上的键合块12连接到各相应引线30上的键合线80而同引线30电连。

芯片10、模垫20、键合线80，以及系条50的和引线30的与模垫20相邻接的部分，都用模制化合物密封而形成封装体90。引线30包括在封装体90之内的内引线以及从封装体90延伸出的外引线34。

模制过程中，在各相邻外引线34间的空隙处，于封装体90的表面形成有溢料92。

图5表明图4中的引线框切除挡条后的情形；图6表明图4中的引线框除去溢料(修边工序)后的情形。参看图5与图6，载有模制封装体的引线框用挡条剥除器处理，除去各引线30间以及侧轨与其相邻线间形成的挡条40，使得引线30能与侧轨60分开。除去挡条40后，在原先与挡条40接触的引线30的表面区34a处会形成毛剌。在毛剌处，钯或镍的镀层剥离，引线暴露向外部环境，使最终的半导体芯片封装件受到侵蚀，降低了它的可靠性。为了避免出现这一问题，应进行镀层处理给引线镀金属(重镀工序)，结果将加大生产成本同时降低生产率。

由于模制过程会在封装体90的外表面上相邻外引线间空隙处遗留溢料92，封装体90就不会具有光滑或均匀的表面。因此，应该用例如化学处理除去封装本90上的溢料使其能通过目检。

图7示明图4中的引线框经重镀后的情形；图8是沿图7的8-8线截取的纵剖图；图9示明从图7的引线框上分离下各芯片封装件；而图10示明形成有外引线的各芯片封装件。参看图7至10，封装体在除去溢料92后接受镀层处理，由钯或镍的第二次镀层34c覆盖外引线34(重镀工序)。

外引线34更详细地说是由铜34a制成，表面上有第一次钯或镍镀层34b。但在除去挡条工序中，第一次镀层34b会在装附挡条的区域剥离(形成毛剌)，而应在这些区域上形成第二次镀层34c(重镀工序)。这道重镀工序可以但不限于用电镀方法进行，其中将待镀层的引线框浸入含钯或镍的镀浴中，然后通电。标号34’在图7至图11中指已重镀的引线。

第二次镀层34c还有助于将封装件便利地电连到例如印刷电路板(未示明)一类的外部电子设备上。

然后用切除装置(未示明)除去系条50，给出各个封装件200。再使各个封装件200经成形处理，将外引线34弯曲成可安装到外部电子零部件例如印刷电路板上的合适形状。在这一实施例中，引线框形成鸥翼形。

图11是沿图10中的11-11线截取的纵剖图。参看图11，在这种常规的半导体芯片200的结构中，芯片10是用Ag-环氧树脂粘合剂70粘附于模垫20的上表面上。芯片10通过连接着芯片10上各键合块12以及相应的内引线32的键合线80，在两端与内引线32电连。

芯片10、模垫20、键合线80以及系条50的和引线30的与模垫20相邻接的部分，都用模制化合物密封，形成封装体200。引线30包括嵌入封装体200中的内引线32和从封装体200延伸出的外引线34。

上述制造半导体封装芯片的方法存在以下缺点：