[发明专利]抗反射膜无效

专利信息
申请号: 96112014.2 申请日: 1996-07-05
公开(公告)号: CN1141442A 公开(公告)日: 1997-01-29
发明(设计)人: 巴雷特·里贝;石川博一 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 反射
【权利要求书】:

1.一种沉积在支撑层上的抗反射膜,所说膜包括:两相邻层,靠支撑层的为第一层,其余为第二层,所说第一层由吸收光的导电物质组成,所说第二层由折射率不高于2.0的物质组成,其中,如果任选短波长为λv,任选长波长为λr,所说第一层对波长λv的光折射率和消光系数分别为nv和kv,所说第二层对波长λ的光折射率和消光系数分别为nr和kr,nv大于nr并且kv小于kr,其抗反射性质出现在波长λv和λr上和λv和λr之间的点上。

2.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层沉积在塑性材料支撑层上。

3.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层沉积在沉积于塑性材料支撑层上的硬质涂层上。

4.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层是在氧分压不高于50%的氧存在下形成的。

5.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层是由混合有导电氧化物的金属材料形成的。

6.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层是由氮化钛形成的。

7.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层是由混合有作为杂质的钨的氮化钛形成的。

8.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层由氧氮化锆形成的。

9.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第二层是由二氧化硅形成的。

10.根据权利要求1的抗反射膜,其中所说第一层的nv大于(nr+0.4)且kr大于(kv+0.4)。

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