[发明专利]抗反射膜

说明书

本发明涉及一种抗反射膜，它是沉积于支撑层上且具有抗反射性质和防止电磁波泄漏或静电存积结构的光学膜。

迄今，抗反射膜已广泛用于希望或需要减少如空气和玻璃间光学边界折射率的光学或电领域。照相机镜头、复印机压板、设备玻璃罩、阴极射线管和其他显示装置的玻璃板便是这类应用的例子。

在用于各领域的光学薄膜涂层中，有由氟化镁组成的薄膜单一涂层，将波长范围内的折射率减到最小的双层涂层，以及在波长范围内，如可见光波长范围内产生低折射率的多层宽范围涂层。

下面对双层涂层进行解释。

如US4422721中介绍的双层抗反射薄膜(抗反射薄膜A)至少由一层低折射率材料层，如氟化镁，一层薄导电高折射率材料透明层，如氧化锡铟(INTO)、锡酸镉或氧化锑锡层所组成。此双层抗反射膜是按由低折射率材料层和薄导电的高折射率材料层的顺序沉积于光学基底表面的此两层所组成的。导电材料层的光学厚度为1.0-30.0nm，而低折射率材料层的薄膜厚度与导电材料层的厚度相当以抑制导电材料层的退化。

由低折射率材料和高折射率材料薄膜组成的双层抗反射膜A提供了一种可有益地用于阴极射线管或复印机的能进行直接电联接的导电抗反射膜。

US4732454中公开了一双层抗反射膜(抗反射膜B)，此膜由四层组成：合成材料透明基体；沉积于此基体上的硬的防划伤层；通过在氧原子存在下在低于150℃下进行真空沉积或高频放电溅射而形成的紧贴于防划伤层上的第二导电材料层；和直接紧贴于导电层上由折射率比第二导电层低的材料形成的第三层。所说第二层由作为其组份的氧化锡铟(INTO)所组成。

抗反射膜B可传播光并能涂于合成材料保护层上，这样可以用作适宜于作为阴极射线管滤波器发出的电磁波滤波器的抗反射膜。

由于上述抗反射膜A导电性低和在宽的频率范围内抑制反射率低，所以这种膜仍有许多待改进之处。

同抗反射膜A相类似，由于上述抗反射膜B在宽的频率范围内抑制反射率低，所以这类膜也有许多待改进之处。

如导电性低的抗反射膜贴于CRT玻璃板上，防止静电荷或防止从CRT玻璃板放出的电磁波的输出的作用就不大。

本发明的目的是提供一种具有高导电性的及在宽的频率范围内具有高反射抑制的抗反射膜。

根据本发明的抗反射膜具有直接沉积于支撑层上或通过硬涂层沉积于支撑层上的彼此相邻的两层。靠近基体的一层是由可吸收光的导电材料形成的，余下的第二层是由折射率不超过2.0的材料形成的。如果第一层对短波长λv的折射率和消光系数分别为n_v和k_r，对长波长λr的折射率和消光系数分别为n_r和k_r，则n_v大于n_r，k_v小于k_r(n_v＞n_r，k_v＜k_r)。

如果第一层是在氧分压不超过50％的氧存在下形成的，为了减轻其导电性变差，可以减少形成的氧化物的量。

根据本发明，提供了结构简单，在宽频率范围内导电性好，抗反射效果高的抗反射膜，从而可以抑制从贴有抗反射膜的光学基体放出的静电荷或电磁波。

图1示出了本发明实施方案的抗反射膜的主要部分。

图2为说明本发明示于图1的抗反射膜的第1层的选择原则的允许图的例子。

图3为常用TiO₂-SiO₂抗反射膜允许图。

图4为本发明方法提供的INTo/Au-SiO₂抗反射膜允许图。

图5为抗反射膜第一层折射率或消光系数与波长间的关系图。

图6为根据本发明方法提供的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜的波长为405nm的允许图。

图7为图6所示的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜波长为546nm的允许图。

图8为图6所示的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜波长λ为633nm的允许图。

图9为本发明方法提供的ZrNxOy-SiO₂抗反射膜波长λ为405nm的允许图。

图10为图9所示的ZrNxOy-SiO₂抗反射膜波长λ为633nm的允许图。

图11为根据本发明的TiNx-SiO₂抗反射膜根据计算所得的反射率。