[发明专利]半导体器件中CVD铝膜的制造方法

权利要求书

1.在半导体器件中制造CVD铝膜的方法，特征在于此方法包括下述工序：

提供上面有介质膜的基片；

将此基片置于惰性气氛中；

于此惰性气氛中在前述介质膜上溅射钛膜；

于此惰性气氛中在上述钛膜上溅射第一层铝膜；

于此惰性气氛中在第一层铝膜上化学汽相淀积第二层铝膜；

其中的第二层铝膜与第一层铝膜密切接触。

2.如权利要求1所述方法，其中所述将基片置于惰性气氛中的工序的特征是，此基片是置于选自氩、氪与氙这组气体中的一种的气氛中。

3.如权利要求1所述方法，其中所述溅射钛膜的工序的特征是溅射钛膜至第一厚度，而所述溅射第一层铝膜工序的特征是溅射一层铝膜至第二厚度，其中此第一厚度小于第二厚度。

4.如权利要求1所述方法，特征在于此方法还包括下述步骤：

在上述将基片置于惰性气氛中的工序之前于介质膜上形成孔，

其中此孔的特征是具有基本上垂直的侧壁和一底面，

前述第一层铝膜覆盖于侧壁和底面上，而前述第二层铝膜则充填上述的孔。

5.如权利要求1所述方法，其中所述溅射第一层铝膜工序的特征是溅射铝-铜合金膜。

6.在半导体器件中制造CVD金属膜的方法，特征在于此方法包括下述工序：

提供具有一表面的基片；

将此基片置于惰性气氛中；

在此惰性气氛中于基片上溅射钛膜；

在此惰性气氛中于钛膜上溅射第一金属成分的核化层，此核化层的特征是具有第一晶体取向；以及

在所述核化层上化学汽相淀积前述第一金属成分的金属膜，这层金属膜与核化层紧密接触，且此金属膜的特征是具有第一晶体取向。

7.如权利要求6所述方法，特征在于：所述第一金属成份是从极纯的铝和铝-铜合金中选取。

8.在半导体器件中制造CVD铝膜的方法，特征在于此方法包括下述工序：

设置一种淀积设备，它有多个与一共用的转运室相邻的淀积室，其中各个进行溅射的淀积室保持于惰性气氛之下，而共用的转运室则保持在真空下；

将基片置于第一淀积室内而于此基片上溅射钛膜；

通过前述转运室将基片转运到第二淀积室中；

在钛膜上溅射第一层铝膜；

通过前述转运室将基片转运到第三淀积室中，以及

在第一层铝膜上化学汽相淀积上第二层铝膜，第二层铝膜与第一层铝膜紧密接触。

9.如权利要求8所述方法，特征在于此方法还包括下述步骤：

于基片上形成介质膜，然后在将基片置放于惰性气氛之前于此介质膜中形成孔，

其中所述的孔的特征是具有基本上垂直的侧壁和一底面。

10.如权利要求9所述方法，其中所述溅射第一层铝膜的特征是：溅射第一层铝膜来覆盖上述孔的侧壁与底面，而其中所述溅射第二层铝膜的特征是溅射第二层铝膜来充填上述的孔。