[发明专利]装有供快速存取用的数据输出通路的半导体存储器无效
申请号: | 96113410.0 | 申请日: | 1996-09-11 |
公开(公告)号: | CN1096683C | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 辛尚佶;姜京雨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,王忠忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装有 快速 取用 数据 输出 通路 半导体 存储器 | ||
1.一种装有在给定操作方式下高速存取数据用的数据输出通路的半导体存储器,各数据通路包括下列串联连接的各部分:
第一电流控制装置,响应给定的地址信号;
第一锁存装置;
一个中继器;
其特征在于,各数据通路包括下列串联连接的各部分:
第二电流控制装置,响应给定的控制信号;
第二锁存装置;和
数据输出缓冲器。
2.如权利要求1所述的半导体存储器,其特征在于,它具有多个存储单元,各存储单元连接在各对位线与各字线之间。
3.如权利要求2所述的半导体存储器,其特征在于,各对位线有一个位线读出放大器,用以将各对位线的电压放大到给定的电平。
4.如权利要求2或3所述的半导体存储器,其特征在于,它具有多个列选择门用以根据列选择信号有选择地连接所述位线和输入/输出线路。
5.如权利要求4所述的半导体存储器,其特征在于,各对输入/输出线路有一个输入/输出线路读出放大器供将该对输入/输出线路的电压放大到给定的电压电平。
6.如权利要求5所述的半导体存储器,其特征在于,它具有第二数据通路与各输入/输出线路读出放大器的输出端连接,第一电流控制装置的传输门接第二数据通路的输出端。
7.如权利要求6所述的半导体存储器,其特征在于,第一锁存装置的锁存电路与传输门的输出端连接供在给定时间存储第二数据通路的输出用。
8.如权利要求7所述的半导体存储器,其特征在于,它有第三数据通路连接在锁存电路的输出端与中继器之间。
9.如权利要求8所述的半导体存储器,其特征在于,它有第四数据通路连接在中继器的输出端与第二电流控制装置之间,第二电流控制装置的第二传输门接第四数据通路的输出端。
10.如权利要求9所述的半导体存储器,其特征在于,数据输出缓冲器适宜根据给定的控制信号将通过第二传输门的数据发送到存储器外。
11.如权利要求2和3所述的半导体存储器,其特征在于,所述给定的控制信号为列地址选通信号。
12.如权利要求2和3所述的半导体存储器,其特征在于,所述给定方式为扩充数据输出方式。
13.基本上如说明书中参看附图的图2所示的半导体存储器。
14.一种半导体存储器,有一个中继器供接收存储单元通过数据输出线路输出的数据并将所述收到的数据提供给一个数据输出缓冲器,
其特征在于,它包括:
一个开关装置,安装在所述中继器的所述数据输出线路与所述数据输出缓冲器之间,用以在与正常读出方式不同的预定数据输出方式下根据列地址选通的相关信号使所述中继器的输出数据通过其输出端以确保数据的快速存取;和
一个锁存装置,并联连接在所述开关装置的所述输出端与所述数据输出缓冲器之间,从而暂时锁存所述输出端的数据。
15.如权利要求14所述的半导体存储器,其特征在于,所述锁存装置装有输入控制装置,供确定所述数据的输出用,确定的方式是根据在与所述预定的数据输出方式不同的另一数据输出方式提供的输出起动响应信号控制所述数据输出缓冲器的输入方式进行的。
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