[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一部分，装有具一定高度的组件；和

第二部分，没有具一定高度的组件；其特征在于：

所述第一部分有一个层间绝缘膜，其最上面的绝缘膜构成第一层间膜；

所述第二部分的层间绝缘膜由所述第一层间膜和直接敷在所述第一层间膜的第二层间膜组成，第二层间膜的抛光率大于所述第一层间膜；

所述第一部分中的所述层间绝缘膜的表面高于所述第二部分中的所述层间绝缘膜。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一层间膜是未掺杂的氧化硅制成的，所述第二层间膜是掺硼和/或磷的氧化硅制成的。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二部分有一个接触孔和/或一个通孔通过所述第一层间膜和所述第二层间膜，以该两层间膜为界，此外还有一个金属互连件配置在所述第二层间膜上通过所述接触孔和/或所述通孔与所述第二部分的所述层间绝缘底下的一层导电层连接。

4.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：

在具有一定高度的组件的第一部分和无具一定高度的组件的第二部分的半导体基片上形成第一层间膜；

在所述第一层间膜上形成第二层间膜，所述第二层间膜的化学机械抛光率大于所述第一层间膜；和

用化学机械抛光法对第一和第二层间膜进行抛光，使所述第二层间膜完全从所述第一部分清除掉，在所述第二部分部分留下来。