[发明专利]高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料

说明书

本发明涉及一种电容器瓷料，特别是多层片状瓷介电容器瓷料。

中温烧结多层片状瓷介电容器，其烧成过程是瓷料与内电极一起烧成，这就要求内电极的熔点必须高于瓷料的烧成温度，用贵金属Pt.Pd等作内电极成本高，用Pd-Ag.Au等电极材料，成本较低，但要求介质瓷料的烧温必须低于1160度，才能与介质瓷料相匹配。

有采用铁电材料BaTiO₃为主晶相的瓷料，来提高介电常数和介电性能，但由于它的工艺性能差、电气性能仍达不到要求，无法实际生产应用。

本发明的目的是克服现有技术中的缺点，提供一种高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料，其制成的多层片状瓷介电容器，产品一致性好、成品率高、介电性能优良，满足生产线应用。

本发明的配方(重量比)组成为：

  B_aTiO₃    86.0～93.0％ (wt)

  B_i2O₃      2.5～8.5％  (wt)

  T_iO₂       1.6～3.5％  (wt)

  Nb₂O₅      0.7～2.0％  (wt)

  M_nO₂       0.8～2.0％  (wt)

硅酸铅玻璃     1.0～3.0％

其中硅酸铅玻璃的组成(重量比)为：

    P_b3O₄        67～80％

    S_iO₂           1～4％

    H₃BO₃         15～22％

    ZnO              3～7％

   最佳配方组成为：(重量比)

    B_aTiO₃       88～90％

    B_i2O₃         5～6％

    T_iO₂        2.2～2.6％

    Nb₂O₅       0.8～1.4％

    M_nO₂       0.12～0.14％

    硅酸铅玻璃    1.2～2.3％