[发明专利]二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料无效
| 申请号： | 96117374.2 | 申请日： | 1996-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1186052A | 公开（公告）日： | 1998-07-01 |
| 发明（设计）人： | 崔承甲;刘占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C03C25/02 | 分类号： | C03C25/02 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 刘树清 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 光学 镀膜 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1α-SiO2光学镀膜材料的制备方法及α-SiO2材料，是通过矿石精选、清洁处理、烘干、粉碎过筛、高温处理实现的，其特征在于：要求粉碎机和筛子的材质采用硬质材料制成，并对α-SiO2光学镀膜材料无污染，筛网的孔从小至大形成系列，以满足所需光学镀膜材料的粒度要求，根据粒度大小的要求，选用适合的筛孔过筛，对过筛的α-SiO2用高纯度水去粉未清洗后再进行热处理，即将α-SiO2装在对α-SiO2料无污染的坩埚里，并将装满α-SiO2料的坩埚放选大气加热炉中进行热处理，热处理的温控一时间曲线由图2所示，从室温匀速升温4小时以上，温度升至570℃-600℃，再恒温处理8小时以上，接着是均速降温24小时以上，最后是对经过热处理的α-SiO2进行质量筛选，把变色的含有杂复的α-SiO2全部去掉。
2α-SiO2光学镀膜材料的制备方法及α-SiO2材料，其特征在于：对精选的α-SiO2粉碎后过筛，属于小颗粒的，不经过热处理，直接作光学镀膜材料。
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